Введение
Глава 1. Теория и методы расчетов 14
1.1. Методы расчета электронного спектра 14
1.2. Методы расчета колебательного спектра 27
1.3. Электрон-фононное взаимодействие 37
Глава 2. Ab initio расчет параметров электрон-фононного взаимодей ствия в бинарных полупроводниковых кристаллах 48
2.1. Оптимизация структуры кристаллов 50
2.2. Зонные спектры электронов 51
2.3. Вычисление колебательных спектров из первых принципов 53
2.4. Междолинные деформационные потенциалы в кристаллах AIII BV 54
Глава 3. Междолинное рассеяние на фононах в зоне проводимости Si 59
3.1. Спектр электронов в Si 59
3.2. Фононы в Si 61
3.3. Виртуальные междолинные f- и g-переходы 62
3.4. Эффективные усредненные деформационные потенциалы для запрещенных переходов 64
Глава 4. Рассеяние электронов на коротковолновых фононах в Ge в условиях гидростатического давления 68
4.1. Расчет зонной структуры Ge в условиях гидростатического давления в методе функционала плотности 68
4.2. Фононный спектр Ge 73
4.3. Аналитическая модель зонных переходов 74
4.4. Метод расчета для темпа электрон-фононного перехода
4.5. Ab initio вероятности междолинного рассеяния в электронов на фононах в Ge. Сравнение с экспериментом 85
Глава 5. Анализ вклада от рассеяния электронов на коротковолновых фононах в физические процессы . 92
5.1. Исследование процессов переноса заряда и тепла в кремнии на основе ab initio расчетов. 92
5.2. Расчет ширины спектральной линии прямого экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зоной под давлением 103
Заключение 115
Литература
