Введение
Глава 1. Общая характеристика широкозонных соединений А2В6 и гетероструктур на их основе, полупроводниковые лазеры зеленого и желтого спектрального диапазона 16
1.1. Структурные и электронные свойства полупроводников А2В6 и твердых растворов на их основе 16
1.2. Оптические свойства полупроводников А2В6 и твердых растворов на их основе 23
1.3. Исследования зеленых и желтых полупроводниковых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6 и конкурентных им материалов А3P и А3N
Глава 2. Экспериментальные методы и методики 33
2.1. Состав и особенности установки МПЭ SemiTEq STE3526 33
2.2. Методы in situ диагностики процесса роста при МПЭ 38
2.3. Особенности контроля температуры при МПЭ соединений А2В6 40
2.4. Методы ex situ структурной и оптической характеризации эпитаксиальных слоев и гетероструктур 44
2.5. Формирование когерентного гетеровалентного интерфейса А2В6/А3В5 с низкой плотностью протяженных дефектов ( 104 см-2) для лазерных гетероструктур и многопереходных гибридных солнечных элементов
Глава 3. Разработка технологии и конструкции низкопороговых лазерных гетероструктур зеленого спектрального диапазона с КТ CdSe и исследование их внутренних параметров
3.1. Разработка конструкции волновода с переменным показателем преломления на основе полупроводниковых сверхрешеток А2В6 51
3.2. МПЭ рост и исследование структурных и оптических характеристик лазерных гетероструктур А2В6/GaAs с волноводом с переменным показателем преломления оптимизированной конструкции 66
3.3. Исследование внутренних лазерных характеристик гетероструктур А2В6/GaAs с волноводом с переменным показателем преломления и различной конструкцией активной области c КТ CdSe 72
3.4. Снижение плотности неравновесных дефектов в активной области лазерных ГС 77
Глава 4. Разработка технологии и конструкции лазерных гетероструктур с квантовыми точками CdSe, излучающих в желтом спектральном диапазоне 86
4.1. Увеличение номинальной толщины осаждаемого слоя CdSe, как способ увеличения длины волны излучения из КТ CdSe/ZnSe 86
4.2. Использование напряженной КЯ ZnCdSe в качестве матрицы КТ CdSe для увеличения длины волны излучения из КТ CdSe 95
4.3. Увеличение эффективности ФЛ из КТ CdSe в матрице КЯ Zn1-xCdxSe с использованием асимметричной активной области и реализация эффективной лазерной гетероструктуры желтого спектрального диапазона 106
Глава 5. Разработка конструкции и исследование свойств лазерных конверторов А2В6/А3N для зеленого и желтого спектрального диапазона 118
Заключение 132
Список цитируемой литературы
