Введение
1. Оптоэлектронные свойства и динамика носителей заряда в квантово-размерных структурах In(Ga)As/GaAs (Обзор литературы) 13
1.1. Динамика носителей заряда в КТ InAs/GaAs 13
1.1.1. Эмиссия 14
1.1.2. Рекомбинация 18
1.1.3. Межуровневая релаксация 20
1.1.4. Результаты экспериментальных исследований эмиссии носителей заряда из КТ InAs/GaAs 20
1.2. Эмиссия носителей заряда из КЯ 29
1.3. Влияние дефектообразования на оптоэлектронные характеристики КРС
1.3.1. Роль дефектов в работе приборов на основе КРС 32
1.3.2. Точечные дефекты в GaAs 38
1.3.3. Дефектообразование в структурах с КЯ InGaAs/GaAs 42
2. Методика эксперимента 48
2.1. Типы исследованных КРС и методика их получения 48
2.2. Методы фотоэлектрической диагностики КРС 54
2.3. Методы введения дефектов в КРС 60
2.4. Определение напряженности электрического поля в окрестности квантово-размерного слоя 62
3. Экспериментальное исследование и теоретическое моделирование эмиссии носителей из квантово-размерных слоев 64
3.1. Общая характеристика спектров фоточувствительности КРС и её температурной зависимости 64
3.2. Моделирование эффективности эмиссии носителей из КТ InAs/GaAs 71
3.3. Применение теории квантовой эффективности эмиссии для описания температурных зависимостей фоточувствительности в области основного и первого возбужденного переходов в КТ 78
3.4. Влияние электрического поля на температурные зависимости фотоэлектрических спектров КТ 82
3.5. Фотоэлектрические явления в структурах с КТ InAs/GaAs, выращенными в режиме с прерыванием роста
3.5.1. Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов КТ InAs/GaAs 90
3.5.2. Влияние нанесения КЯ InGaAs на энергетический спектр КТ 96
3.5.3. Влияние КЯ на эффективность эмиссии фотовозбужденных носителей
из КТ 99
3.6. Влияние дополнительного потенциального барьера на эмиссию носителей из КЯ InGaAs/GaAs 102
3.7. Выводы к главе 3 106
4. Влияние дефектообразования на фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур 109
4.1. Влияние анодного окисления на оптоэлектронные свойства КРС 109
4.1.1. Структуры с КТ InAs/GaAs 110
4.1.2. Структуры с КЯ InGaAs/GaAs 112
4.1.3. Структуры с комбинированным слоем КЯ/КТ
4.2. Влияние имплантации ионов гелия на оптоэлектронные свойства КТ 117
4.3. Влияние нанесения химически активного металла (кобальта) на оптоэлектронные свойства КРС 120
4.4. Влияние нейтронного облучения на оптоэлектронные свойства КРС 124
4.5. Выводы к главе 4 128
Заключение 130
Список публикаций по теме диссертации 132
Список цитированной литературы 137
