Введение
Глава 1. Обзор литературы 12
1.1. Одноосно деформированный p-Ge 12
1.2. Напряжённые структуры SiGe/Si 23
1.3. Туннельные структуры
1.3.1. Историческая справка 26
1.3.2. Сверхрешётки 29
1.3.3. Вольт-амперные характеристики структур с квантовыми ямами 32
1.4. Квантово-каскадные лазеры 41
Глава 2. Одноосно деформированный p-Ge 49
2.1. Мотивировка 49
2.2. Образцы и методика эксперимента 50
2.3. Одноосно деформированный p-Ge с умеренной степенью компенсации 50
2.4. Одноосно деформированный p-Ge с высокой степенью компенсации 53
2.5. Обсуждение полученных результатов
2.5.1. Кинетика установления концентрации свободных носителей заряда 61
2.5.2. Коэффициент ударной ионизации 63
2.5.3. Коэффициент захвата на ионизованные примесные центры и характерные времена рекомбинации 65
2.5.4. Релаксационные характеристики в сильно компенсированных образцах. 67
2.6. Выводы к Главе 2 70
Глава 3. Напряжённые структуры SiGe/Si с одиночной квантовой ямой 71
3.1. Мотивировка 71
3.2. Образцы и методика эксперимента 73
3.3. Результаты эксперимента 75
3.4. Обсуждение полученных результатов 83
3.5. Выводы к Главе 3 86
Глава 4. Периодические квантово размерные структуры 88
4.1. Проводимость короткопериодных сверхрешёток InAs/AlSb и GaAs/AlAs с оптическим резонатором 88
4.1.1. Мотивировка 88
4.1.2. Образцы и методика эксперимента 89
4.1.3. Проводимость сверхрешёток InAs/AlSb и GaAs/AlAs в режиме нерезонансного туннелирования 90
4.1.4. Проводимость сверхрешёток InAs/AlSb и GaAs/AlAs с электрическими доменами, влияние оптического резонатора 98
4.1.5. Выводы к разделу 4.1 104
4.2. ТГц излучение ККЛ с волноводом на поверхностных плазмонах 106
4.2.1. Мотивировка 106
4.2.2. Образцы и методика эксперимента 107
4.2.3. Диаграмма направленности излучения в дальней зоне 109
4.2.4. Выводы к разделу 4.2 109
Заключение 112
Публикации автора по теме диссертации 114
Список цитируемой литературы 1
