Введение
ГЛАВА 1. Распределение электрических полей в анизотропных кристаллах и пленках при зондовых измерениях 13
1.1. Особенности кинетических явлений в анизотропных полупроводниках (обзор литературных данных) 13
1.2. Моделирование электрического поля в пластинах анизотропных полупроводников 18
1.2.1. Распределение электрического потенциала токового зонда к анизотропной пластине 18
1.2.2. Распределение потенциала токового зонда в ограниченных полупроводниках 21
1.3 Распределения трехмерного электрического поля в объемных анизотропных полупроводниках 24
1.3.1. Моделирование электрического потенциала токового зонда к проводящему анизотропному полупространству 25
1.3.2. Распределение потенциала токового зонда к ограниченному анизотропному полупроводниковому образцу 30
1.3.3. Распределение потенциала в прямоугольных полупроводниковых образцах на проводящей и диэлектрической подложках 33
1.3.4. Расчет распределения электрического потенциала в анизотропных полупроводниках в форме диска и шайбах 35
1.3.5. Экспериментальная проверка теоретического моделирования... 37
1.4. Четырехзондовый метод измерения электропроводности слои
стых полупроводниковых кристаллов 39
Выводы и результаты первой главы 49
ГЛАВА 2. Особенности явлений электронного переноса в искусственно анизотропных кремний-германиевых структурах 50
2.1. Особенности свойств материалов и структур современной элек- 3 троники на основе механически напряженных полупроводниковых материалов (обзор) 50
2.2. Деформации и зонная структура напряженных кремний-германиевых гетероструктур 59
2.2.1. Расчёт деформаций в гетероструктурах с совмещенной кристаллической решеткой 60
2.2.2. Смещения энергетических зон в гетероструктуре Si - Ge 64
2.3. Особенности электрических полей в механически напряженных каналах кремниевых транзисторов 67
2.3.1. Моделирование подвижности носителей тока в напряженных слоях кремния 68
2.3.2. Распределение электрических полей в напряженных полупроводниковых каналах МДП транзисторов 71
2.4 Моделирование распределения электрического поля в слоистых анизотропных и изотропных полупроводниках 81
2.4.1. Двухслойная анизотропно-неоднородная структура 81
2.4.2. Методика измерения удельных электропроводностей двуслойных изотропных полупроводниковых пластин и пленок 88
Выводы и результаты второй главы 95
ГЛАВА 3. Моделирование атомной и электронной структуры кремниевых кластеров 96
3.1. Основные расчетные методы современной квантовой теории строения молекул (обзор) 96
3.2. Модельные представления о проводимости полупроводниковых наночастиц 109
3.3. Квантовохимическое моделирование электронных характеристик кремниевых наночастиц с малым числом атомов (Siw,/7 = 2-10, 13) 113
3.4. Моделирование электронной структуры кремниевых кластеров сфероидальной формы 3.4.1. Моделирование электронных свойств кремниевых наночастиц 4 Si13 с плотной атомной упаковкой 122
3.4.2. Квантовохимическое моделирование фуллереноподобных
129 кремниевых наноструктур .
3.5. Моделирование электронной структуры кремниевых напряжен-136 ных наночастиц
145 Выводы и результаты третьей главы
146 Заключение
148 Литература .
