Введение
1 Современные представления об особенностях переноса заряда в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки 16
1.1 ВАХ контакта металл-полупроводник 16
1.2 Неоднородность в контактах с барьером Шоттки 19
1.2.1 Локальное понижение высоты барьера по периферии контакта 19
1.2.2 Модель флуктуации потенциала Вернера-Гютлера 20
1.2.3 Модель Танга неоднородности высоты барьера на основе седловых точек 22
1.3 Модели, учитывающие влияние интерфейсных состояний на вольтамперные
характеристики контактове барьером Шоттки 25
1.3.1 Модель Бардина 25
1.3.2 Модель тесного контакта при наличии приповерхностных состояний... 28
1.4 Исследование заряжения полупроводниковых структур при помощи
атомносиловой микроскопии с использование метода зонда Кельвина 29
2 Влияние факторов нелинейности высоты барьера на характеристики идеального контакта 32
2.1 Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения 32
2.2 Размерные эффекты 36
2.3 Низкотемпературная аномалия 38
2.4 Вольтамперная характеристика идеального контакта
3 Исследование эффектов нелинейности высоты барьера в реальных контактах 49
3.1 Анализ влияния интерфейсных состояний в модели Бардина 49
3.2 Анализ влияния приповерхностных состояний в модели тесного контакта 53
3.3 Экспериментальные результаты 56
3.3.1 Контакты Au-GaAs 56
3.3.2 Контакты Ni-GaAs 61
3.3.3 Контакты Ir-GaAs 70
3.3 Значение эффективной высоты барьера и условий постоянства тока и напряжения на примере контактов 83
4 Анализ модели Танга неоднородности высоты барьера в виде седловых точек на примере контактов Au, Ni, Ir и Rh с GaAs 90
4.1 Вольтамперная характеристка изолированного патча 90
4.2 Вольтамперная характеристка контакта с гауссовским распределением характерестического параметра 92
4.3 Моделирование дисперсии высоты барьера 104
4.4 Учёт последовательного сопротивления 108
5 Применение атомносиловой микроскопии для исследования интерфейса в контакте металл-полупроводник 111
5.1 Исследование заряжения контакта Au-n-GaAs атомносиловым
микроскопом с применением метода зонда Кельвина 111
5.1.1 Модификация интерпретации данных метода зонада Кельвина при исследовании контакта металл-полупроводник 111
5.1.2 Результаты исследования 113
5.2 Оценка качества интерфейса контакт металл-полупроводник 119
Заключение 123
Список литературы
