Введение
Глава 1. Современные фотоприемники на основе соединений группы А4В6 (литературный обзор) 14
1.1 РЖ - фотоприемники на основе халькогенидов свинца 14
1.1.1. Охлаждаемые ИК - фотодетекторы на основе монокристаллических слое соединений А4В6 на кремнии 17
1.1.2. Высокоселективные ИК - фотодетекторы с микрорезонатором 19
1.1.3. Неохлаждаемые фото детекторы на основе поликристаллических слоев халькогенидов свинца 24
1.2. Особенности оптических, электрофизических и структурных свойств халькогенидов свинца 28
1.2.1. Основные физико-химические свойства халькогенидов свинца...
1.2.2. Особенности зонной структуры халькогенидов свинца 28
1.2.3. Основные кристаллофизические свойства халькогенидов свинца 32
1.2.4. Дислокации в эпитаксиальных пленках РЬХ с кристаллографической ориентацией (111) 33
1.2.5. Влияние деформации на электрические свойства соединений...
1.3. Применение атомно-силовой микроскопии для диагностики материалов и создания структур микро- и оптоэлектроники 36
1.3.1. Принцип работы и основные режимы АСМ 37
1.3.2. Латерально-силовая микроскопия 40
1.3.3. Картографирование сил адгезии и особенности кривых отвода-подвода зонда АСМ 41
1.3.4. Исследование механических характеристик нанотрубок воздействием зонда АСМ 43
1.3.5. Исследование топографии квантовых точек PbTe/PbSe 44
1.4. Сканирующая микроскопия сопротивления растекания (SSRM) 44
1.4.1. Определение удельного сопротивления по данным SSRM 46
1.4.2. Факторы, влияющие на измерения в режиме SSRM 48
1.4.3. Определение параметров полевых транзисторов с помощью 50 SSRM
1.4.4. Исследование влияния структурных характеристик на свойства диодов Шоттки методами С-АСМ 52
1.5. Особенности проведения измерений АСМ, обусловленные малым размером зонда 52
1.5.1. Локальная наноразмерная электротермическая декомпозиция 52
1.5.2. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности подложек
1.5.3. Локальная "глубинная" модификация полупроводников 55
1.5.4. Локальная электродинамическая модификация поверхности 59
1.5.5. Фазовый переход в Si под влиянием давления зонда АСМ 60
Выводы к главе 1 62
Глава 2 Исследование механизмов роста и дефектообразования в эпитаксиальных слоях РЬТе (111) 64
2.1. Напряжения упругодеформированных эпитаксиальных слоев РЬТе 65
2.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия РЬТе (111) 68
2.3. Методика исследования топографии эпитаксиальных слоев РЬТе с помощью атомно-силовой микроскопии 69
2.4. Особенности топографии ростовой поверхности PbTe/BaF2 (111) 70
2.5. Развитие модельных представлений о природе возникновения трубчатых дефектов в PbTe/BaF2 74
2.6. Исследование процессов релаксации напряжений несоответствия в PbTe/BaF2 и PbTe/CaF2/Si
2.6.1. Исследование топографии слоев PbTe/CaF2/Si 81
2.6.2. Развитие модельных представлений о природе возникновения 30-террасах на поверхности PbTe/CaF2/Si 84 после релаксации
2.6.3. Активизация скольжения в PbTe/BaF2 89
Выводы к главе 2 91
Глава 3 Математическое моделирование процессов, сопровождающих токопрохождения в системе зонд АСМ - Ме/РЬТе 92
3.1. Устройство и конструкционные особенности атомно-силовых микроскопов, использованных в работе 92
3.1.1. АСМ для измерений в вакууме и при криогенных температурах 3.1.2. Выбор зонда АСМ 97
3.2. Невоспроизводимость ВАХ контактов металл - халькогенид свинца при стационарном положении зонда АСМ 98
3.3. Моделирование распределения поля и разогрева в системе зонд АСМ- халькогенид свинца 10
3.3.1. Моделирование распределение электростатического поля 105
3.3.2. Моделирование распределения плотности тока и нагрева приконтактной области под зондом АСМ 107
3.4. Анализ возможности возникновения условий для пластической модификации
3.5. Комбинированный способ построения локальных ВАХ 111
Выводы к главе 3 116
Глава 4. Исследование электрофизических свойств фотоприемников на основе монокристаллических слоев РЬТе 117
4.1. Специфика формирования интерфейса выпрямляющих контактов к халькогенидам свинца 117
4.2. Технология формирования наноконтактов 1п/РЬТе 120
4.2.1. Формирование системы наноконтактов 121
4.2.2. Анализ рельефа системы наноконтактов
4.3. Методика контроля условия изолированности наноконтактов 124
4.4. Эволюция каналов протекания тока при вариации напряжения 126
4.4.1. Методика оценки эволюции каналов протекания тока при вариации напряжения 126
4.4.2. Методика выделения шунтов и локальных областей с особенностями токопрохождения 127
4.5. Эволюция ВАХ наноконтактов при термоциклировании 132
Выводы к главе 4 133
Глава 5. Атомно-силовая микроскопия фоточувствительных и излучающих поликристаллических слоев на основе PbSe 135
5.1. Современные модельные представления о природе фотопроводимости в поликристаллических слоях на основе соединений РЬХ при комнатной температуре 135
5.2 Технология получения фоточувствительных поликристаллических слоев на основе PbSe 137
5.3. Исследование поликристаллических слоев на основе PbSe методами атомно-силовой микроскопии в зависимости от условий получения и обработки
5.3.1. Исследование топологии фоточувствительных поликристаллических слоев на основе PbSe и PbCdSe 140
5.3.2. Латерально-силовая микроскопия поликристаллических слоев на основе PbxCdi„xSe
5.3.3. Сопротивление растекания поликристаллических слоев PbSe после различных обработок 148
5.4. Исследование изменения.электрофизических свойств поликристаллических пленок PbCdSe по глубине 152
5.5. Развитие модельных представлений о процессах токопереноса в фоточувствительных поликристаллических слоях PbCdSe по глубине 155
5.6. Исследование свойств поликристаллических слоев PbSe на кремнии с буферным слоем пористого кремния 158
5.6.1. Получение буферных слоев por-Si и-исследование их структуры 159
5.6.2. Исследование структурных свойств por-Si с помощью рамановской спектроскопии и методом FIB 163
5.6.3. Исследование вольт-амперных характеристик структур por-Si/Si 169
5.6.4. Получение и исследование свойств структур PbSe/por-Si/Si 170
5.7. Создание сетчатых диэлектрических подложек на основе высокоупорядоченных слоев рог-А12Оз 177
Выводы к главе 5 178
Заключение 180
Список литературы
