Введение
Глава 1. Полупроводниковые лазеры на основе квантово-размерных InGaAsP/InP и АЮаІпАзЯпР гетероструктур раздельного ограничения 11
1.1. Основные этапы создания гетеролазеров с квантовыми ямами 11
1.1.1. Лазеры на основе двойных гетероструктур 11
1.1.2. Лазеры с расширенным волноводом 13
1.1.3. Внутренние потери в симметричных гетероструктурах с расширенным волноводом 16
1.1.4. Асимметричные лазерные гетероструктуры 18
1.2. Гетеролазеры ближнего инфракрасного диапазона на основе твердых растворов, изопериодических с InP 23
1.2.1. Гетеролазеры с длиной волны излучения 1.3 — 1.55 мкм на основе твердых растворов, изопериодических с InP 23
1.2.2. Гетеролазеры с длиной волны излучения 1.7 — 2.2 мкм на основе твердых растворов, изопериодических с InP 24
Выводы к главе 1 26
Глава 2. Исследование гетероструктур InGaAsPAnP и AlGalnAsAnP с напряженной квантово-размерной активной областью 28
2.1. Влияние деформации на энергетическую зонную структуру полупроводников со структурой-цинковой обманки 28
2.2. Влияние деформации на глубину квантовых ям и положения уровней, размерного квантования для электронов и дырок в напряженной квантовой яме 32
2.3. Влияние состава и деформации слоя квантовой ямы на длину волны излучения 36
2.4. Влияние состава твердого раствора волноводного слоя на длину волны излучения 43
2.5. Критическая толщина активной области и выбор оптимальной толщины активной области 47
Выводы к главе 2 51
Глава 3. Асимметричные InGaAsP/InP и AlGalnAs/InP гетероструктуры раздельного ограничения с расширенным волноводом и непрерывные лазеры на их основе 53
3.1. Внутренние оптические потери в гетероструктурах на основе твердых растворах InGaAsPAnP и AlGalnAs/InP 53
3.1.1. Внутренние оптические потери 53
3.1.2. Внутризонные переходы 54
3.1.3. Внутренние оптические потери, обусловленные межзонными переходами 55
3.2. Симметричные и асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения в системе твердых растворах InGaAsP/InP и AlGalnAs/InP 57
3.3. Исследования излучательных свойств симметричных и асимметричных AlInGaAs#nP гетероструктур раздельного ограничения 63
3.4. Исследования излучательных свойств симметричных и асимметричных ЪтСаАзРЯпР гетероструктур раздельного ограничения 74
Выводы к главе 3 82
Глава 4. Импульсные лазеры на основе асимметричных АЮаІпАвЯпР гетероструктур раздельного ограничения с, расширенным волноводом 83
4:1. Импульсные лазеры на основе AlGalnAs/IhP гетероструктур раздельного ограничения 83
4.2. Исследование спектральных характеристик импульсных лазеров на основе AlGalnAs/InP гетероструктур раздельного ограничения 87
4.3. Исследование концентрации носителей заряда в активной области за порогом генерации импульсных лазеров на основе АЮаІпАБЯпР гетероструктур раздельного ограничения 91
4.4. Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров 97
Выводы к главе 4 108
Заключение 109
Литература 112
