Введение
1 Адсорбция неметаллов на поверхности кремния 22
1.1 Введение 22
1.2 Формирование ПФ Si(lll)(\/3 х \/3)Я30-В 24
1.3 Взаимодействие атомов фосфора на Si(100) 33
1.4 Адсорбция и диссоциация молекул триметилфосфина на Si(l 11)7x7 . 39
1.5 Атомное строение ПФ Si(100) а-с(4 х 4)-В 48
1.6 Основные результаты 53
2 Сегрегация неметаллов вблизи поверхности кремния 55
2.1 Введение 55
2.2 Сегрегация бора на Si(lll): кластерный подход 57
2.3 Сегрегация бора на Si(lll): зонный подход 60
2.4 Сегрегация бора на Si(100): кластерный подход 64
2.5 Сегрегация бора на Si(100): зонный подход 68
2.6 Сегрегация фосфора на Si(100) 72
2.7 Основные результаты 74
3 Адсорбция металлов на поверхности кремния 75
3.1 Введение 75
3.2 Адсорбционная система Al/Si(l 11) 77
3 2.1 Электронная структура ПФ Si(lll)(\/3 х v/3)fi30-Al 78
3.2 2 Электронная структура ПФ Si(lll)(\/7 х \/7)Ш91-А\ 82
3.2.3 7-фаза Al-Si(lll) 84
3.2.4 Процессы в атомной и электронной структуре при смене ПФ в системе Al/Si(lll) 90
3.3 Поведение неупорядоченного монослоя А1 на Si(100)2xl 94
3.4 Адсорбционная система Tl/Si(100) 97
3.4.1 ПФ а-2х2-Т1 99
3.4.2 ПФ -2х2-Т1 100
3.4.3 ПФ 7-2х2-Т1 102
3.4.4 ПФ 2х1-Т1 при комнатной и пониженной температурах 104
3.4.5 Смена ПФ в системе Tl/Si(100) и сопутствующие процессы в атомной и электронной структуре 108
3.5 Адсорбционная система Au/Si(lll) 114
3.5.1 Адсорбция изолированных атомов Au на Si(l 11) 115
3.5.1.1 Электронная структура и спектры ФЭС 117
3.5.2 Перемешивание на границе раздела Au/Si(lll) при монослойном покрытии Au 121
3.6 Основные результаты 124
4 Электронная структура системы металл—кремний 126
4.1 Введение 126
4.2 Влияние атомного строения границы раздела металл—кремний на электронную структуру системы 128
4.2.1 Al/Si(lll) 129
4.2.2 Au/Si(lll) 135
4.2.2.1 Тонкая пленка Au на Si(lll) 135
4.2.2.2 Силицидоиодобное соединение АіцБі на Si(l 11) 137
4.3 Влияние примеси на величину барьера Шоттки 140
4.3.1 Легирование кремния в системе Al/Si(lll) 142
4.3.2 Управление величиной барьера Шогтки при вторичном легировании кремния в системе Al/n-Si 150
4.4 Основные результаты 158
5 Туннельный ток в поверхностных системах и наноразмерных контактах "металл — кремний" 159
5.1 Введение 159
5.2 Моделирование спектров СТС ПФ Si(lll)(V5 х х/3)Л30-В 161
5.3 Влияние взаимодействия игла-образец на данные СТС 165
5.4 Туннельный ток в наноразмерном контакте Al/Si(lll) 173
5.5 Основные результаты 178
6 Атомная структура поверхности ТЮ2(П0) при ненулевых температурах 179
6.1 Введение 179
6.2 Тестовые результаты для объемного диоксида титана и поверхности ТіО2(П0) 182
6.3 Поведение поверхности ТіОгСіЮ) при ненулевых температурах 188
6.4 Атомная релаксация ступени наТЮг(НО) 192
6.5 Разрушение ступени на ТЮ2(110) при Т = 500 К 197
6.6 Основные результаты 205
Основные результаты и выводы 207
