Введение
Глава 1. Фонон-фононное и фотон-фононное взаимодействия в диэлектриках 23
1.1. Механизмы фонон-фононного взаимодействия в диэлектриках. Влияние точечных дефектов 23
1.2. Фотоупругость ацентричных кристаллов. Фотоупругость сегнетоэлектриков в области фазового перехода 32
1.3. Термостабильные пьезоэлектрические кристаллы для акусто-электроники на объёмных и поверхностных акустических волнах 39
1.4. Выводы обзора и постановка задачи исследования 52
Глава 2. Методики эксперимента, измерительные установки и исследуемые образцы 54
2.1. Методики исследования пьезоэлектрических и низкочастотных упругих свойств кристаллов 54
2.2. Методика исследования фотоупругих и высокочастотных упругих свойств кристаллов (метод брэгговского рассеяния света на звуке) 57
2.3. Общая блок-схема установки брэгговского рассеяния и её оптическая, акустическая и измерительная части 61
2.4. Исследуемые образцы кристаллов, преобразователи гиперзвука и эталоны ниобата лития 69
Глава 3. Влияние температуры и постоянного электрического поля на пьезоэлектрические и упругие свойства монокристаллов 74
3.1. Диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие свойства кристаллов ниобата бария-натрия, ниобата бария-стронция и лантан-галлиевого силиката при комнатной температуре 74
3.1.1. Анизотропия электромеханических и упругих свойств кристаллов Ba2NaNbsOi5 и Bao^Sro^Nt^Oe 74
3.1.2. Монокристаллы лангасита LasGasSiOu 80
3.1.3. Обсуждение экспериментальных результатов 83
3.2. Упругие и электромеханические параметров кристалла ниобата бария-стронция в области фазового перехода 90
3.2.1. Температурные зависимости упругих и электромеханических параметров, связанных с продольной модой, распространяющейся вдоль полярной оси 90
3.2.2. Температурные зависимости упругих и электромеханических параметров мод, определяемых податливостями Si і и S44 96
3.2.3. Обсуждение экспериментальных результатов 104
3.3. Температурная зависимость диэлектрических и упругих свойств лангасита. Обнаружение кристаллографических ориентации с нулевым ТКЧ упругих колебаний в лангасите 117
3.4. Влияние внешнего электрического поля на упругие свойства кристаллов 125
3.4.1. Индуцированная электрическим полем эллиптическая поляризация поперечных упругих волн в танталате лития 125
4 3.4.2. Электроупругий (поляризационный) эффект в кристаллах лангасита 132
3.5. Выводы 143
Глава 4. Низкочастотные и высокочастотные акустические свойства монокристаллов 149
4.1. Акустические потери в чистых и легированных кристаллах лангасита 149
4.2. Высокочастотные акустические свойства кристаллов ниобата бария-стронция и ортованадата кальция 159
4.2.1. Анизотропия и дисперсия скорости и затухания высокочастотных упругих волн в ниобате бария-стронция 159
4.2.2. Анизотропия и дисперсия скорости и поглощения продольного гиперзвука в ортованадате кальция Саз(У04)г 167
4.3. Упругие свойства селенида цинка и анизотропия затухания упругих волн в молибдате гадолиния 171
4.4. Влияние температуры Дебая, симметрии и состава кристалла на высокочастотное поглощение упругих волн 172
4.5. Выводы 175
Глава 5. Фотоупругость селенида цинка, ниобата бария-стронция и лантан-галлиевого силиката 177
5.1. Фотоупругие компоненты и акустооптическая добротность кристаллов ZnSe, LGS и SBN при комнатной температуре 177
5.2. Анизотропия температурных аномалий фотоупругого эффекта в кристаллах SBN в области фазового перехода 182
5.3. Влияние внешнего электрического поля на геометрию акустооптического взаимодействия в кристаллах SBN 190
5.4. Выводы 192
Глава 6. Практические применения результатов проведённых исследований 196
6.1. Пьезоэлектрические резонаторы продольных колебаний на кристаллах SBN и акустоэлектронные устройства на кристаллах LGS 196
6.2. Управляемая электрическим полем ультразвуковая линия задержки на кристалле молибдата гадолиния 201
6.3. Акустооптические устройства на кристаллах селенида цинка и ниобата бария-стронция 202
6.4. Пьезорезонансный преобразователь температуры и приемник ИК-излучения на кристалле ниобата бария-натрия 207
Заключение 210
Библиографический список использованной литературы 218
Приложения
