Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники

Егоров, Антон Юрьевич. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Егоров Антон Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. академ. ун-т - научно-образоват. центр нанотехнологий РАН].- Санкт-Петербург, 2011.- 335 с.: ил. РГБ ОД, 71 11-1/206
Автор
Егоров, Антон Юрьевич
Год
2011

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием
99 000 UZS
Автор
Жевнеров, Евгений Владимирович
Количество страниц
Год
2011
Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
99 000 UZS
Автор
Махиборода, Максим Александрович
Количество страниц
Год
2011
Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
99 000 UZS
Автор
Надточий, Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2011
Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN
99 000 UZS
Автор
Павлюченко, Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2011
Инжекционные полупроводниковые лазеры со спектрально-селективными потерями и спектрально-зависимым фактором оптического ограничения
99 000 UZS
Автор
Паюсов, Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2011
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3