Введение
Глава 1. Особенности конструкций и технологий создания современных мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов 11
1.1. Особенности конструкций мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов 11
1.2. Электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов 20
1.3. Развитие МОП технологии и специфические особенности ВЧ и СВЧ МОП технологии с двойной диффузией 24
1.4. Влияние технологических процессов на стабильность и воспроизводимость электрических параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур 30
1.5. Надежность мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов 33
Выводы к главе 1 35
Глава 2. Методы создания структурных составляющих мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и методики оценки их качества 38
2.1. Метод создания подзатворного оксида кремния мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и оценка его качества 38
2.2. Метод формирования многослойной металлизации на основе золота мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с помощью плазменных обработок 42
2.3. Методика оценки влияния плазменных обработок при формировании многослойной металлизации на основе золота мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур и методы устранения деградации их параметров 43
2.4. Методы оценки качества и надежности мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов 45
Выводы к главе 2 48
Глава 3. Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур, способы оценки и устранения деградации 49
3.1. DMOS- и LDMOS-технологии создания современных мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур 49
3.2. Влияние качества границы раздела Si-Si02 на стабильность зарядовых свойств мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур 55
3.3. Оценка качества подзатворного оксида кремния, полученного различными технологическими способами, с помощью экспресс-контроля 60
3.4. Влияние плазменных обработок при формировании многослойной металлизации на основе золота на изменение значений пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур 65
3.5. Способы устранения деградации статических параметров после плазменных обработок на этапе формирования металлизации и их корректировка 68
3.6. Способ восстановления пороговых напряжений мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторных структур с помощью ультрафиолетового облучения 72
Выводы к главе 3 78
Глава 4. Оценка надежности мощных вч и свч моп транзисторов и эффективности их работы 80
4.1. Термополевое испытание и испытание на безотказность мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов как инструмент оценки качества МОП транзисторных структур 80
4.2. Разброс пороговых напряжений МОП транзисторных структур - негативный фактор для качественной работы мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов 84
Выводы к главе 4 91
Основные результаты и выводы 92
Список использованных источников 95
Приложение 101
