Введение
Глава 1. Литературный обзор работ по созданию и характеризации полевых транзисторов миллиметрового диапазона с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур AlGaN/GaN 12
1.1 Тенденция развития технологии создания транзисторов 12
1.2 Описание и основные источники высокочастотного шума 19
1.3 Методы экстракции параметров малосигнальных эквивалентных схем и источников шума 26
1.4 Выводы 32
Глава 2. Экспериментальные и теоретические методы исследования полевых транзисторов миллиметрового диапазона на основе гетероструктур AlGa1-N/AlN/GaN 35
2.1 Изготовление полевых транзисторов 35
2.1.1 Описание гетероструктур 35
2.1.2 Описание технологических маршрутов 35
2.1.3 Формирование Т-образных затворов 38
2.2 Описание методов измерения параметров транзисторов 41
2.2.1 Методика измерений омического и слоевого сопротивлений 41
2.2.2 Методика измерений S-параметров 43
2.2.3 Методика измерения коэффициента шума
2.3 Разработка метода экстракции параметров линейных моделей полевых транзисторов 47
2.4 Метод экстракции параметров источников высокочастотного шума полевых транзисторов 54
Глава 3. Теоретический анализ зависимости высокочастотного коэффициента шума полевых транзисторов мм-диапазона на основе AlGaN/GaN от толщины барьерного слоя AlGaN и длины затвора 62
3.1 Теоретический анализ высокочастотного шума 62
3.2 Теоретический анализ частотных параметров 70
3.3 Выводы 75
Глава 4. Экспериментальное исследование зависимости частотных и шумовых параметров полевых транзисторов мм-диапазона на основе AlGa1-N/AlN/GaN от толщины барьерного слоя AlGa1-N/AlN и ёмкости между затвором и стоком 76
4.1 Основные параметры изготовленных полевых транзисторов 76
4.2 Влияние T и на высокочастотный коэффициент шума 83
4.3 Влияние толщины барьерного слоя на высокочастотный коэффициент шума 84
4.4 Анализ ёмкостной связи между затвором и стоком 87
4.5 Выводы 91
Заключение 92
Список сокращений и условных обозначений 94
Список литературы
