Введение
ГЛАВА1 Литературный обзор. 16-41
1.1. Структурная классификация дефектов. 16-18
1.2. Учет дефектов в термодинамической теории фазовых переходов, 18-19
1.3. Фотоэлектрические явления в сегнетоэлектриках-полупроводниках. 20-21
1.4. Волны плотности дефектов и эффекты памяти в кристаллах с несоизмеримыми модуляциями структуры . 21-34
1.4.1. Несоизмеримые модулированные структуры. 22-25
1.4.2. Модуляции структуры в реальных кристаллах. 25-27
1.4.2.1.Замороженные (фиксирозанные) дефекты и искажения волн модуляций. 26 1.4.2.2.Подвижные дефекты и неискаженные волны модуляций. 26-27
1.4.3. Волны плотности дефектов и эффекты памяти в несоизмеримо модулированных системах. 27-29
1.4.4. Релаксационные процессы в несоизмеримо модулированных фазах. 29-31
1.4.5. Глобальный температурный гистерезис. 31-32
1.4.6. Влияние скорости изменения температуры на структурные перестройки. 32-33
1.4.7. Влияние механических напряжений на несоизмеримые структуры. 33-34
1.5. К вопросу о протяженной структуре двойниковых границ в кристаллах . 34-41
1.5.1. Двойники превращения. Симметрийные аспекты полидвойникового состояния кристаллов после фазовых переходов. 34-37
1.5.2. Структурные состояния в области двойниковых границ (теоретические аспекты). 37-41
ГЛАВА 2. Аппаратура и методы эксперимента. 42-58
2.1. Структура дифракционного изображения кристаллов в схеме широко , расходящегося пучка рентгеновских лучей. 42-46
2.2. Метод топографии углового сканирования в геометрии Лауэ. Методы «секционной» и «локальной» топографии углового сканирования. 46-50
2.3. Низкотемпературные устройства для исследования фазовых переходов. 50-54
2.3.1. Азотный криостат для получения рентгенограмм в широко расходящемся пучке рентгеновских лучей. 51-52
2.3.2. Гелиевые криостаты для традиционной дифрактометрии и топографии углового сканирования и метода съемки в широко расходящемся пучке рентгеновских лучей. 52-54
2.4. Механизм ориентированного механического нагружения для низкотемпературных рентгеновских исследований . 54-57
2.5. Автоматизация рентген-дифрактометрических исследований для изучения плоских сечений обратного пространства. 57-58
ГЛАВА 3. Точечные дефекты в процессах перестройки структуры монокристаллов . 59-118
3.1. Структурные состояния прустита. 59-65
3.2. Фотоиндуцированные автоколебательные перестройки в кристаллах прустита. 65-70
3.3. Волны плотности дефектов и специальные случаи реализации эффектов памяти в кристаллах с несоизмеримыми модуляциями структуры. 70-79
3.4. Дифракция рентгеновских лучей в полидоменных кристаллах, модулированных поперечными волнами атомных смещений. 79-96
3.5. Инициирующее действие непрерывного изменения температуры на структурные перестройки в кристаллах с фазовыми переходами типа упорядочения. 96-118
3.5.1. Инициирующее действие непрерывного изменения температуры на структурные перестройки в кристаллах прустита . 97-102
3.5.2. Инициирующее действие непрерывного изменения температуры на структурные перестройки в кристаллах тиомочевины. 103-108
3.5.3. К вопросу о механизме инициирующего действия охлаждения на структурные перестройки в кристаллах. 108-118
ГЛАВА 4. Линейные дефекты в процессах перестройки структурымонокристаллов . 119-157
4.1. О механизме раздвоиникования полисинтетической структуры и образования политипных фаз в кристаллах ZnS. 119-128
4.2. Деформационно-стимулированные фазовые переходы в монокристаллах кремния. 128-135
4.3. Индуцированные электронным лучком циклические структурные перестройки в кристаллах сульфида цинка и кремния. 135-138
4.4. Структурные аспекты деформационного стимулирования сс=В превращения в кристаллах p-PbF2. 138-143
4.5. Особенности структурных перестроек в кристаллах с несоизмеримо модулированными фазами в области lock-in перехода при одноосных механических напряжениях (на примере кристаллов Rb2ZnCI4). 143-148
4.6. Структурные аспекты образования несоизмеримых композитных структур (на примере (Rbx(NH4)(i-x))S04). 148-157
ГЛАВА 5. Структура двойниковых границ и их участие в процессах фазовых превращений . 158-224
5.1. Особенности двойниковой структуры в кристаллах ВаТі03. 158-165
5.2. Особенности двойниковой структуры и структуры двойниковых границ в кристаллах дигидрофосфата калия КНгР04. 166-174
5.3. Особенности двойниковой структуры и структуры двойниковых границ в сегнетоэластиках (на примере соединений ReBa2Cu30(7^)Re = Y, Gd, Но). 175-189
5.3.1. Кристаллгеометрические аспекты фазовых переходов в кристаллах семейства 1-2-3. 177-189
5.4. Квазидвойниш в кристаллах семейства 1-2-3 на примере соединения НоВагСи3Ох. 189-193
5.5. Размерный эффект, двойниковая структура и структура двойниковых границ в кристаллах MASD. 193-200
5.6. Взаимосвязь фазовых состояний со структурой двойниковых границ в кристаллах CsDy(Mo04)2. 200-207
5.7. Межфаэовые границы в несоизмеримых структурах (на примере прустита), 207-211
5.8. Аномальные двойниковые структуры. 211-225
5.8.1. Когерентное перекрестное двойникование в кристаллах LaGa03. 211-212
5.8.2. "Chez like" двойники в эпитаксиальных пленках. 212-215
5.8.3. Слабо выраженные двойниковые структуры. 215-225
ГЛАВА 6. Трехмерные дефекты в прцессах преобразования атомной структуры . 226-298
6.1. О механизме образования субструктуры в монокристаллах при изоморфных фазовых переходах, идущих с понижением объема элементарной ячейки (на примере монокристаллов SmS). 227-231
6.1.1. Влияние внешней среды и температуры на реальную структуру монокристаллов SmS при фазовом переходе под давлением. 227-229
6.1.2. О механизме образования субструктуры при изоморфных фазовых переходах в монокристаллах SmS. 229-231
6.2. О структурном механизме изоморфных фазовых переходов в монокристаллах, идущих с увеличением объема элементарной ячейки (на примере p-NiS). 231-239
6.3. Твердофазная аморфизация как процесс образования промежуточного паракристаллического состояния структуры при переходе в равновесную кристаллическую фазу (на примере монокристаллов GaSb). 239-251
6.3.1. Методологические и методические аспекты изучения механизма твердофазной аморфизации в кристаллах GaSb. 240-241
6.3.2. Трансформация структуры GaSb в процессе термобарической обработки. 241-247
6.3.3. Твердофазная аморфизация как процесс образования промежуточного паракристаллического состояния структуры при переходе GaSb I oGaSb И. 247-251
6.4. Кластерная структура молекулярных жидкостей и ее влияние на кинетику образования и структурные состояния получаемых кристаллических фаз. 251-298
6.4.1. Структурные состояния и структурные перестройки МББА в жидкокристаллическом и замороженном жидкокристаллическом состояниях. 253-265
6.4.2. Структурные состояния МББА при переходе ЖК и ЗЖК состояний. 266-274
6.4.3. Структурные состояния и структурные перестройки простых спиртов, 275-293 6.4.3.1.Структурные состояния и структурные перестройки изомеров пропанола. 275-285
6.4.3.2,Структурные трансформации чистого этилового спирта и 30 % водного раствора в жидком и твердофазном состояниях. 286-299
Заключение и выводы 300-303
Литература 304-332
