Введение
Глава 1 Дефекты с глубокими уровнями в нелегированных слоях GaAs и GaP, полученных методом жидкофазной эпитаксни, и оптимизация технологии получения структур на их основе
Глава 2. Бистабильные дефекты и примеси с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях AlGaAs
Глава 3. Радиационные дефекты с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях GaAs и AlGaAs
Заключение 249
Публикации по диссертации 253
Литература 257
