Введение
1. Формирование слоев пористого кремния и исследование их структурных характеристик 18
1.1. Методы формирования слоев пористого кремния 18
1.2. Структура пор и свойства поверхностной аморфизированной пленки 22
1.3. Акустический метод определения пористости для мезопористых образцов 35
1.4. Эффект формирования двухсторонней пористой структуры в процессе травления высоколегированных пластин кремния 54
Выводы по главе 1 63
2. Явления переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией 64
2.1. Эффект Холла и проводимость в мезопористом кремнии на основе Si с низкой пористостью 64
2.2. Эффект Холла и проводимость в макропористом кремнии, полученном на слабо легированных подложках n-Si 70
2.2.1. Анализ экспериментальных результатов в рамках модели пассивации примесных атомов водородом 75
2.2.2. Анализ экспериментальных результатов при учете изгиба зон На стенках пор 80
2.3. Перенос носителей заряда в мезопористом кремнии на основе p+-Si 82
2.4. Проводимость пористого кремния с высокой пористостью, содержащего фазу аморфного кремния 92
2.4.1. ВАХ тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния 92
2.4.2. Температурные зависимости удельного сопротивления пористого кремния с высокой пористостью 95
2.4.3. Анализ нелинейного характера сопротивления пористого Кремния в рамках теории токов, ограниченных пространственным 99 зарядом
2.4.4. Переходные характеристики для высокопористых слоев и температурная зависимость подвижности носителей 103
Выводы по главе 2 112
3. Классификация электрических свойств пористого кремния и контактные явления на границе пористого кремния с металлами и кристаллическим кремнием 114
3.1. Классификация электрических свойств пористого кремния 116
3.2. Электрические свойства контакта пористого кремния с металлами 121
3.2.1. Омический характер контактов к пористому кремнию первой группы 123
3.2.2. Выпрямление на контакте алюминий / пористый кремний 2-й группы 127
3.3. Свойства границы пористый кремний / кремний 129
Выводы по главе 3 134
4. Влияние термического отжига и электронного облучения на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор 135
4.1. Изохронный термический отжиг пористого кремния в инертной среде 135
4.1.1. Отжиг образцов PS1 137
4.1.2. Отжиг образцов PS2 140
4.1.3. Переход в низкоомное состояние и эффект релаксации проводимости при термоотжиге слоев PS3
4.1.4. Влияние отжига на проводимость слоев PS4 155
4.2. Влияние облучения высокоэнергетичными электронами на проводимость слоев ПК 158
Выводы по главе 4 166
5. Емкостные свойства и динамическая проводимость пористого кремния, содержащего аморфную фазу 167
5.1 Зависимость диэлектрической проницаемости пористого кремния от величины пористости 167
5.2. Анализ зависимости диэлектрической проницаемости пористого кремния от пористости в рамках трехфазной модели 170
5.3. Частотные зависимости емкости тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния в вакуумных условиях 178
5.4. Динамическая проводимость структур с толстыми слоями пористого кремния в интервале частот 10-106 Гц в условиях вакуума 186
Выводы по главе 5 193
6. Анализ электрических и фотоэлектрических свойств пористого кремния 3-й группы и квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников А В в рамках модели флуктуирующего потенциального рельефа 194
6.1. Квазиоднородные компенсированные твердые растворы на основе полупроводников AIVBVI 195
6.1.1. Электрические и фотоэлектрические свойства сильно компенсированных твердых растворов на примере Pbi.xCd 203
6.1.2. Электрические и фотоэлектрические свойства других сильно компенсированных твердых растворов на основе AIVBVI 212
6.2. Получение и свойства сильно компенсированных пленок сульфида свинца при помощи радиационных воздействий 214
6.3. Электрические и фотоэлектрические явления в пористом кремнии 3-й группы 228
6.4. Зависимость времени релаксации фотопроводимости для слоев PS3 от внешних воздействий 236
Выводы по главе 6 240
7. Структурные и электрические параметры пленочных структур с буферными слоями пористого кремния с заданной электропроводностью 241
7.1. Ориентированные пленки алюминия на пористом кремнии 243
7.2. Особенности структурных и электрических параметров стеклообразных пленок As2Se3 на пористом кремнии 249
7.3. Рост пленок полупроводников AlvBVI на пористом кремнии 253
7.4. Получение аксиально текстурированных пленок теллурида свинца на ПК методом вакуумного осаждения 257
Выводы по главе 7 267
Заключение 268
Список использованных источников 274
