Введение
Глава 1. Современные приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением . 1 1
1.1. Приборы и структуры с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Негатроника. 12
1.2. Современные полупроводниковые приборы тиристорного типа. 21
1.3. Свойства симисторных структур. 32
1.4. Влияние температуры окружающей среды на свойства полупроводниковых приборов . 42
1.5. Постановка задачи. 46
Глава 2. Моделирование полупроводниковых симисторных структур . 47
2.1. Статическая выходная характеристика симисторной структуры. 48
2.2. Математическое моделирование динамических выходных параметров симисторной структуры . 54
2.3. Статическая входная характеристика симисторной структуры. 60
2.4. Зависимость коэффициентов передачи от тока. 65
2.5. Учет влияния температуры на параметры полупроводниковых приборов. 69
2.6. Схемотехническое моделирование статических характеристик симисторной структуры с гальваническим управлением . 73
2.7. Выводы. 79
Глава 3. Взаимосвязь и температурные свойства входных и выходных характеристик планарно-диффузионной структуры симистора . 81
3.1. Методика эксперимента и оценка погрешностей. 81
3.2. Исследование выходных статических характеристик. 8о
3.3. Исследование динамических характеристик. 96
3.4. Исследование вводных статических характеристик . 103
3.5. Выводы. 117
Заключение
Список литературы 122
Приложения
