Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Кижаев Сергей Сергеевич. Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 : Санкт-Петербург, 2003 260 c. РГБ ОД, 61:04-1/1355
Автор
Кижаев Сергей Сергеевич
Год
2003

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия
99 000 UZS
Автор
Ковчавцев Анатолий Петрович
Количество страниц
Год
2003
Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
99 000 UZS
Автор
Хабибуллина Наиля Рашидовна
Количество страниц
Год
2005
Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
99 000 UZS
Автор
Максимов Александр Иванович
Количество страниц
Год
2005
Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления
99 000 UZS
Автор
Костина Людмила Серафимовна
Количество страниц
Год
2003
Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит
99 000 UZS
Автор
Шевченко Ольга Юрьевна
Количество страниц
Год
2005
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3