Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит

Шевченко Ольга Юрьевна. Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 СПб., 2005 215 с. РГБ ОД, 61:06-1/443
Автор
Шевченко Ольга Юрьевна
Год
2005

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния
99 000 UZS
Автор
Костишко Борис Михайлович
Количество страниц
Год
2003
Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs
99 000 UZS
Автор
Штрекерт Ольга Юрьевна
Количество страниц
Год
2005
Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения
99 000 UZS
Автор
Курипятник Андрей Валериевич
Количество страниц
Год
2003
Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников
99 000 UZS
Автор
Ланцова Ольга Юрьевна
Количество страниц
Год
2003
Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах
99 000 UZS
Автор
Махмудиан Махмуд Максуд
Количество страниц
Год
2003
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3