Введение
Глава I. Обзор экспериментальных и теоретических работ по исследованию аннигиляции позитронов в щелочногалотидных кристаллах и полупроводниках 10
1.1. Аннигиляция позитронов и позитрония в веществе и её характеристики ...... ....10
1.2. Аннигиляционные характеристики позитронов в щелочногалоидных кристаллах и полупроводниках с низкой концентрацией дефектов ................ 14
1.2.1. Щелочногалоидные кристаллы с низкой концентрацией дефектов ............ .. 15
1.2.2. Полупроводниковые кристаллы с низкой концентрацией дефектов - » . 27
1.3. Модели позитронных состояний в идеальных щелочнога
лоидных и полупроводниковых кристаллах 35
І.ЗЛ. Позитронные состояния в щелочногалоидных кристаллах . 36 1.3.2. Позитронные состояния в полупроводниках ....... 49
1.4. Аннигиляция позитронов в кристаллах с высокой кон
центрацией дефектов. Аннигиляционные центры. * . . 57
Глава 2. Описание экспериментальной аппаратуры, методики эксперимента и обработки экспериментальных данных . . 85
2.1. Установка для измерения углового распределения аннигиляционных фотонов ..... 85
2.1.1. Механическая часть установки ...... 88
2.1.2. Электромагнит 88
2.1.3. Вакуумная аннигиляционная камера . 88
2.1.4. Коллиматоры 90
2.1.5. Система отработки угла поворота подвижного плеча . . 90
2.1.6. Детекторы ..... 90
2.1.7. Электронно-регистрирующее устройство "Кедр" ... 90
2.1.8. Блоки питания ......... 100
2.1.9. Погрешность измерений . 101
2.2. Измерение спектров времени жизни позитронов . . . 102
2.3. Измерение вероятности 3 )( - аннигиляции позитронов 105 2.4» Математическая обработка.результатов.экспериментов 108
2.4.1. Обработка кривых УРА ........ 108
2.4.2. Обработка спектров времени жизни НО
2.5. Приготовление образцов и источников позитронов . III
Глава 3. Делокализованные и локализованные позитрониевые состояния в ЩГК . . 114
3.1. Обнаружение и исследование "высокотемпературных делокализованннх позитрониевых состояний в кристаллах повышенной чистоты 115
3.1.1. Обнаружение "высокотемпературного" делокализованного Ps в А/аСЕ повышенной чистоты 115
3.1.2. Исследование позитрониевых состояний в кристаллах 126
3.2. Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристал-
. . лах легированных примесями .... 141
3.2.1. Исследование влияния электроно-акцепторных примесей на образование позитрониевых состояний в щелочногалоидных кристаллах 143
3.2.2. Аннигиляция позитронов в кристаллах НBz , активированных ионами лития . 154
Глава 4. Исследование аннигиляции позитронов в полупроводниках ...... 162
4.1. Поиск и исследование позитрониевых состояний в полупроводниках 162
4.1.1. Поиск позитрониевых состояний в кристаллах Si , Se . GaJs И CdTe 162
4.1.2. Исследование аннигиляции позитронов в облученных полупроводниковых кристаллах Si Ai - и ҐІ - типа 166
4.1.3. Обнаружение позитрониевых.состояний.в кластерных кристаллах Se 174
4.2. Наблюдение изменений электронной структуры в кристаллах кремния при возбуждении в них акустических колебаний большой амплитуды 187
4.3. Исследование влияния малых доз позитронного облучения на дефектность эпитаксиальных структур подвергнутых двойному легированию ( Si , Sn ) . . 192
Заключение 197
Справка об использовании материалов диссертационной работы
Литература 201
