Введение
Глава 1. Модели механизмов шума в полупроводниковых риборах 10
1.1 Виды шумов в полупроводниковых приборах 10
1.2. НЧ шум в различных полупроводниковых приборах 12
1.3 Физические модели механизмов І/f шума в полупроводниковых борах 19
1.3.1 Модель на основе генерационно-фекомбинационной теории 22
1.3.2 Объяснение І/f спектра случайным распределением поверхностного потенциала 23
1.3.3 Генерация НЧ шума, обусловленная подвижностью свободных носителей заряда в поверхностной зоне инверсионных слоев 25
1.3.4 Модель с использованием туннельного эффекта 25
1.4. Возможности НЧ шума как прогнозирующего параметра адежности 27
Выводы к главе 1 34
Глава 2. Методы измерения низкочастотного шума олупроводниковых приборов 35
2.1. Предварительный усилитель 35
2.2. Основной усилитель 35
2.3. Детекторы и фильтры 36
2.4.Корреляционный метод измерения низкочастотного шумов 37
2.5.Установка для измерения низкочастотного шума 38
Выводы к главе 2 45
Глава 3. Способы определения потенциально нанадежных олупроводниковых приборов по низкочастотным умам 46
3.1 Диагностика биполярных транзисторов по шумам переходов 46
3.2. Определение потенциально нестабильных полупроводниковых приборов по ампер-шумовым характеристикам 49
3.3. Способы контроля качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием шумов и воздействия электростатических разрядов 54
3.4. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов 61
3.5. Способ определения потенциально нестабильных полупроводниковых приборов с использованием разности температур...65
3.6. Способ разделения полупроводниковых резисторов по адежности 67
3.7. Влияние электростатических разрядов на значения изкочастотного шума варикапов типа KB 107 70
Выводы к главе 3 72
Глава 4, Сравнительный анализ рассмотренных иагностических методов по различным критериям ...73
4.1. Исследование достоверности новых способов диагностики олупроводниковых приборов на примере транзисторов КТЗЮ2ГМ 74
4.3. Исследование достоверности новых способов диагностики полупроводниковых приборов с использованием ЭСР на примере ранзисторов КТ502А 79
Выводы к главе 4 85
Основные выводы и результаты 86
Список литературы 88
