Введение
1 Упругие и электрические поля и акустические волны в фоторефрактивных пьезоэлектрических кристаллах 48
1.1 Общие уравнения для упругих и квазистатических электрических полей в безграничных фоторефрактивных пьезокристаллах 50
1.2 Упругие, электрические и магнитные поля плоских однородных акустических волн в фоторефрактивных пьезокристаллах 52
1.3 Анизотропия скоростей продольно-пьезоактивных и поперечно-пьезоактивных объемных акустических волн и коэффициентов электромеханической связи КЕ и KD в фоторефрактивных пьезокристаллах
1.3.1 Анизотропия фазовых скоростей акустических волн в фоторефрактивных пьезокристаллах 55
1.3.2 КЭМС продольно-пьезоактивных и поперечно-пьезоактивных объемных акустических волн
1.4 Упругие и пьезоэлектрические постоянные фоторефрактивных пьезокристаллов титаната висмута 74
1.5 Электрические и упругие поля динамических фоторефрактивных голограмм в фоторефрактивных пьезокристаллах
1.5.1 Общие уравнения 78
1.5.2 Упругие поля фоторефрактивных решеток в безграничном кристалле 81
1.5.3 Материальные уравнения для фоторефрактивных пьезокристаллов 82
1.5.4 Эффективные электрооптические постоянные 83
1.5.5 Эффективные параметры фоторефрактивных пьезокристаллов титаната бария и сульфида кадмия 84
1.5.6 Эффекты самоискривления ограниченных световых пучков в фоторефрактивных пьезокристаллах 91
Выводы 97
2 Широкополосное возбуждение поверхностных акустических волн в пьезокристаллах и обработка радиосигналов 99
2.1 Широкополосное возбуждение ПАВ торцевыми и квазипланарными пьезопреобразователями 101
2.1.1 Структура электрических и магнитных полей, сопровождающих ПАВвФПК 102
2.1.2 Соотношения ортогональности и нормировки для полей ПАВ и объемных акустических волн, распространяющихся в ФПК 114
2.1.3 Возбуждение ПАВ в пьезокристаллах торцевыми пьезопреобразователями 119
2.1.4 Возбуждение ПАВ в пьезокристаллах квазипланарными пьезопреобразователями 132
2.2 Технология изготовления торцевых и квазипланарных пьезопреобразователей на звукопроводах из ниобата лития 133
2.3 Широкополосные линии задержки с торцевыми и квазипланарными пьезопреобразователями
2.3.1 Полоса пропускания линий задержки с торцевыми и квазипланарными пьезопреобразователями 138
2.3.2 Ложные сигналы в ЛЗ с торцевыми и квазипланарными пьезопреобразователями 143
2.4 Широкополосный акустоэлектронный частотомер 147
2.4.1 АЧХ гребенчатых фильтров 148
2.4.2 Анализ прохождения дискретных радиосигналов через гребенчатый фильтр на ПАВ с металлизированным участком звукопровода 151
2.4.3 Принцип работы акустоэлектронного частотомера 1 2.5 Широкополосный генератор фазоманипулированных сигналов на основе трансверсального ПАВ-фильтра с торцевыми пьезопреобразователями 158
2.6 Планарный акустооптический модулятор 161
Выводы 163
3 Структура упругих и электрических полей голограмм в ограниченных фоторефрактивных пьезоэлектрических кристаллах 166
3.1 Общие уравнения для анализа упругих и электрических полей при формировании решеток в ограниченных ФПК 167
3.2 Структура электрического поля фоторефрактивной решетки для стационарного режима при диффузионном механизме формирования 169
3.3 Структура фоторефрактивной голограммы вблизи границ кристаллов титаната бария и ниобата калия для стационарного режима
при диффузионном механизме формирования 171
3.3.1 Структура приграничных упругих полей фоторефрактивной голограммы для стационарного режима при диффузионном механизме формирования 171
3.3.2 Структура приграничных возмущений диэлектрической проницаемости ФПК на частоте световой волны при диффузионном механизме формирования фоторефрактивной голограммы 176
3.4 Структура фоторефрактивных голограмм, формирующихся в условиях приложения к ограниченным ФПК внешних электрических полей 179
3.4.1 Структура электрического поля фоторефрактивной решетки для стационарного режима вблизи границы кристалла, находящегося в постоянном электрическом поле 179
3.4.2 Структура упругих полей и возмущений диэлектрической проницаемости ФПК на частоте световой волны вблизи границы кристалла, находящегося в постоянном электрическом поле, для стационарного
режима записи фоторефрактивной решетки 181
3.5 Структура упругих и электрических полей, возникающих вблизи границы ФПК при фотогальваническом механизме записи фоторефрактивных решеток 194
3.5.1 Структура упругих и электрических полей для начального участка формирования решетки 195
3.5.2 Структура упругих и электрических полей, возникающих вблизи границы кристалла LiNb03 при фотогальваническом механизме записи фоторефрактивных решеток в стационарных условиях 202
Выводы 213
4 Динамические голограммы в фоторефрактивных пьезокристаллах 217
4.1 Векторные модели взаимодействия световых волн на отражательных голограммах в кубических ФРК 219
4.1.1 Основные уравнения 220
4.1.2 Поляризационные характеристики встречного взаимодействия линейно поляризованных световых волн 225
4.1.3 Приближение неистощаемой накачки 227
4.2 Экспериментальная установка для исследования встречного взаимодействия световых волн на отражательных динамических голограммах в кристаллах класса силленитов 229
4.3 Поляризационные эффекты при взаимодействии световых волн
на отражательных голографических решетках в кристаллах Bi12TiO20 231
4.3.1 Поляризационные зависимости для взаимодействия линейно поляризованных волн на фазовых решетках в срезе (100) кристаллов титаната висмута 232
4.3.2 Поляризационные эффекты при взаимодействии световых волн на отражательных голографических решетках в кристаллах Bi12TiO20
срезов (112), (111) и (ПО) 234
4.4 Влияние внешней подсветки на взаимодействие световых волн на отражательных голограммах в ФРК 242
4.4.1 Формирование отражательных фоторефрактивных голограмм в кристаллах титаната висмута при воздействии внешней некогерентной подсветки 242
4.4.2 Теоретическая модель формирования поля пространственного заряда отражательной фоторефрактивной решетки 247
4.4.3 Результаты расчетов и обсуждение 250
4.5 Влияние температуры на формирование отражательных голограмм в ФРК... 252
4.5.1 Формирование отражательной фоторефрактивной голограммы при фиксированной температуре кристалла 253
4.5.2 Динамика эффективного коэффициента двухпучкового усиления при плавном изменении температуры кристалла 254
Выводы 257
5 Адаптивная интерферометрия на основе двухволнового взаимодействия на отражательных голограммах в фоторефрактивных пьезокристаллах 260
5.1 Адаптивный коррелятор на основе динамической отражательной голограммы в кристалле титаната висмута 261
5.2 Схемы адаптивного голографического интерферометра на основе встречного двухволнового взаимодействия 268
5.3 Анализ фазовой демодуляции при двухволновом взаимодействии на отражательных динамических голограммах в кристаллах силленитов 270
5.3.1 Теоретическая модель встречного двухволнового взаимодействия волны накачки, сохраняющей круговую поляризацию, с фазово-модулированной сигнальной волной 270
5.3.2 Встречное взаимодействие в кристаллах срезов (111) и (110) 275
5.3.3 Встречное взаимодействие в кристаллах среза (100) при линейной поляризации сигнального пучка 276
5.4 Экспериментальное исследование фазовой демодуляции при двухволновом взаимодействии на отражательных динамических голограммах в кристаллах силленитов 277
5.4.1 Экспериментальные результаты для кристаллов среза (110) и (111) и их анализ 278
5.4.2 Экспериментальные результаты для кристаллов среза (100) и их анализ 280
5.5 Флексоэлектрический эффект в фоторефрактивных пьезокристаллах 282
5.5.1 Анализ вклада обратного флексоэлектрического эффекта в модуляцию оптических свойств ФПК упругими полями отражательной голограммы 282
5.5.2 Вклад обратного флексоэлектрического эффекта во встречное взаимодействие световых пучков в образцах Х-среза кристаллов
симметрии 42т, 422, 622, 222 и Зт 285
5.6 Применения адаптивной голографической интерферометрии, основанной на встречном взаимодействии световых волн на отражательных голограммах в фоторефрактивных пьезокристаллах 287
5.6.1 Экспериментальная реализация адаптивного голографического интерферометра, использующая встречное взаимодействие в кристаллах силленитов 288
5.6.2 Амплитудная характеристика адаптивного интерферометра, использующего встречное взаимодействие в кристалле Bi12TiO20
среза (100) 291
5.6.3 Экспериментальные исследования по обнаружению вклада обратного флексоэлектрического эффекта во встречное взаимодействие световых пучков в кристаллах титаната висмута 297
Выводы 301
Заключение 304
Список использованных источников и литературы
