Введение
ГЛАВА 1. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в прямозонных полупроводниках типа GaAs 12
1.1. Основные процессы, контролирующие релаксацию возбуждения в GaAs 12
1.2. Эффект длительного затухания ФЛ зона-акцептор в GaAs при низких температурах 16
1.3. Модель механизма рекомбинации, предложенная для объяснения длительного затухания ФЛ зона-акцептор в GaAs 22
ГЛАВА 2. Методические вопросы исследования 28
2.1. Методики получения исследуемых образцов 28
2.2. Методики регистрации стационарной и нестационарной фотолюминесценции 30
2.3. Методика приложения электрического поля 35
2.4. Экспериментальная установка для исследования кинетики ФЛ при селективном фото возбуждении мелких доноров 4 0
ГЛАВА 3. Механизмы рекомбинации, обуславливающие длительную кинетику ФЛ в GaAs. Исследование кинетики ФЛ твердых растворов InGaAs и AlGaAs. Исследование кинетики ФЛ GaAs при приложении электрического поля 43
3.1. Анализ механизмов рекомбинации, обуславливающих длительную кинетику ФЛ в GaAs
при низких температурах 43
3.2. Исследование кинетики ФЛ твердых растворов InGaAs и AlGaAs 53
3.2.1. Кинетика ФЛ твердых растворов InxGai xAs 5 б
3.2.2. Кинетика ФЛ прямозонных твердых растворов AlxGai-xAs 63
3.3. Кинетика ФЛ GaAs под действием электрического поля 69
ГЛАВА 4. Исследование кинетики ФЛ GaAs и твердых растворов InGaAs и AlGaAs при селективном фотовозбуждении мелких доноров 83
4.1. Метод селективного фотовозбуждения мелких доноров 83
4.2. Исследование кинетики ФЛ GaAs при селективном фотовозбуждении мелких доноров 8 9
4.3. Исследование кинетики ФЛ твердых растворов InGaAs и AlGaAs при селективном фо
товозбуждении мелких доноров 102
Заключение 111
Список литературы
