Введение
1 Состояние проблемы синтеза и применения эпитаксиальных нитевидных кристаллов (обзор литературы) . 9
1.1 Современное состояние исследований процессов роста НК 9
1.2 Влияние технологических факторов процесса синтеза на ростовые параметры НК 19
1.3 Использование НК для реализации функциональных элементов микро- и наноэлектроники . 29
1.3.1 Применение НК в качестве элементной базы изделий микро-и наноэлектроники 29
1.3.2 Применение НК в оптических устройствах .33
1.3.3 Применение НК в фотоэлектрических элементах 35
1.3.4 Применение НК в качестве чувствительных элементов сенсоров 38
1.4 Формулировка цели работы и постановка задач исследования 41
2 Установка, материалы и методики проведения экспериментов 43
2.1 Установка синтеза НК Si 43
2.1.1 Система получения и очистки водорода .43
2.1.2 Формирование парогазовой смеси для получения НК Si и Ge .46
2.2 Методики подготовки подложек для выращивания НК .51
2.2.1 Методики нанесения катализатора и сплавление его с кремниевой подложкой .51
2.2.2 Установление температурных зон в реакторе 53
2.3 Подготовка образцов для оптической, растровой электронной и электронно-зондовой микроскопии 55
3 Закономерности эпитаксиального роста нитевидных кристаллов кремния 60
3.1 Закономерности влияния природы и размера частиц катализатора наскорость роста нитевидных кристаллов 60
3.2 Влияние линейного натяжения трехфазного контакта пар-жидкая капля-кристалл на процесс квазиодномерного роста нанокристаллов Si .66
3.3 Критические параметры роста НК Si по схеме паржидкая каплякристалл 73
4 Методы формирования систем эпитаксиальных нитевидных кристаллов кремния с учетом их геометрического признака .. 82
4.1 Способ получения индивидуальных НК полупроводников Постоянного диаметра 82
4.2 Способ получения регулярных систем наноразмерных НК Si 86
4.3 Разработка лабораторного регламента получения матриц эпитаксиальных НК Si, применительно к изготовлению тестового устройства охлаждения кристаллов микросхем 89
4.3.1 Разработка лабораторного регламента получения матриц эпитаксиальных НК Si 89
4.3.2 Применение систем эпитаксиальных нитевидных кристаллов Si в устройствах охлаждения микросхем 98
Основные результаты работы 106
Список литературы .
