Введение
Глава 1. Обзор литературы 9
1.1. Применение сегнетоэлектриков в устройствах памяти 9
1.2. Сегнетоэлектричество в сверхтонких пленках 18
1.3. Влияние экранирования и граничных эффектов 25
1.4. Магнитоэлектрические эффекты в структурах сегнетоэлектрик/ферромагнетик 29
Глава 2. Экспериментальные методы выращивания и исследования тонкопленочных сегнетоэлектриков 34
2.1. Импульсное лазерное осаждение 34
2.2. Микроскопия пьезоотклика 38
2.3. Резерфордовское обратное рассеяние 43
2.4. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия 47
2.5. Мессбауэровская спектроскопия 55
2.6. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами
Глава 3. Создание структур на основе BaTiO3 методом импульсного лазерного осаждения 64
3.1. Выращивание и исследование структур BaTiO3/Fe 64
3.1.1. Процедура роста и структурные свойства систем BaTiO3/Fe 64
3.1.2. Сегнетоэлектрические свойства пленок BaTiO3 на подслое Fe 68
3.1.3. Свойства границы раздела BaTiO3/Fe 73
3.1.4. Электронная структура границы раздела BaTiO3/Fe 77
3.2. Выращивание и исследование структур BaTiO3/Pt 81
3.2.1. Процедура роста и структурные свойства систем BaTiO3/Pt 83
3.2.2. Сегнетоэлектрические свойства пленок BaTiO3 на подслое Pt 87
3.2.3. Электронная структура границы раздела BaTiO3/Pt 91
3.2.4. Влияние вакансий кислорода в слое BaTiO3 на взаимное расположение зон в структуре Pt/BaTiO3 92
Глава 4. Исследование электронных и транспортных свойств тонкопленочных структур на основе BaTiO3 95
4.1. Измерение ширины запрещенной зоны тонкопленочного BaTiO3 95
4.2. Реализация прототипа ячейки памяти на основе сегнетоэлектрического туннельного перехода Cr/BaTiO3/Pt 100
4.2.1. Исследование транспортных свойств 100
4.2.2. Восстановление профиля потенциального барьера Cr/BaTiO3/Pt. Корелляция электронной структуры с транспортными свойствами 104
Заключение 108
Список литературы 110
