Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV

Бойко Владимир Михайлович. Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Обнинск, 2007 179 с., Библиогр.: с. 161-179 РГБ ОД, 61:07-1/1434
Автор
Бойко Владимир Михайлович
Год
2007

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах
99 000 UZS
Автор
Ваганов Сергей Анатольевич
Количество страниц
Год
2007
Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом
99 000 UZS
Автор
Мягков Дмитрий Вадимович
Количество страниц
Год
2007
Электронный транспорт в субмикронных кольцевых интерферометрах на основе GaAs полупроводниковых гетероструктур
99 000 UZS
Автор
Номоконов Дмитрий Владиленович
Количество страниц
Год
2007
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
99 000 UZS
Автор
Новиков Владимир Александрович
Количество страниц
Год
2007
Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур
99 000 UZS
Автор
Зубков Василий Иванович
Количество страниц
Год
2007
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3