1. Литературный обзор 5
1.1. Лазерное напыление тонких пленок ВТСП 5
1.1.1. Распыление мишени излучением 6
1.1.2. Разлет распыленного вещества 7
1.1.3. Рост пленки 8
1.2. Оптимальные условия эпитаксиального роста пленок Y-Ba-Cu-0 9
1.2.1. Формирование стехиометрического потока частиц. 9
1.2.2. Подложки для эпитаксиального роста пленок ВТСП-соединений 10
1.2.3. Состав и давление газа в вакуумной камере при напылении. 11
1.2.4. Особенности технологии напыления тонких пленок для прикладных задач 14
1.3. Напыление тонких пленок Шг-^Се^СиО^у 15
1.3.1. Связь электрофизических свойств Nd2-^Ce^Cu04-y с условиями синтеза 15
1.3.2. Синтез эпитаксиальных пленок NCCO лазерным напылением 18
1.4. Выводы 21
2. Оборудование и экспериментальные методики 22
2.1. Установка для импульсного лазерного напыления тонких пленок ВТСП 22
2.2. Измерение температурных зависимостей сопротивления пленочных образцов 23
2.3. Регистрация сверхпроводящего перехода методом экранирования магнитного поля и измерение критического тока тонких пленок сверхпроводников 25
2.4. Методы анализа структуры и элементного состава пленок 32
3. Оптимизация условий синтеза тонких пленок YBCO 33
3.1. Влияние параметров лазерного напыления на транспортные свойства и структуру пленок YBCO 33
3.2. Выводы 48
4. Синтез и исследование свойств тонких пленок Nc^-xCe ^CuO^y 49
4.1. Напыление тонких эпитаксиальных пленок N
4.3. Явления переноса в тонких пленках Nc^-jtCe^CuC^-y 54
4.3.1. Результаты эксперимента 56
4.3.2. Обсуждение результатов 61
4.4. Выводы 65
5. Исследование влияния радиационного облучения на свойства тонких пленок ВТСП 66
5.1. Влияние ионного облучения на электрофизические свойства пленок NCCO 67
5.1.1. Измерения транспортных свойств пленок NCCO 67
5.1.2. Структурные измерения 68
5.1.3. Обсуждение результатов 70
5.2. Влияние ионного облучения на локальную структуру NCCO, исследованное методом рентгеновской спектроскопии поглощения . 71
5.2.1. К-край Си. 72
5.2.2. L3 край Си 74
5.2.3. М4)5 края Се. 75
5.3. Выводы 76
6. Исследование возможностей создания качественных слоев ВТСП на традиционных материалах микроэлектроники 77
6.1. Условия эпитаксиального роста пленок YBCO на подложках из монокристаллического кремния 77 6.1.1. Результаты эксперимента и их обсуждение 78
6.2. Способ формирования микроструктур в эпитаксиальных тонких пленках УВагСизОу-д: без деградации свойств материала пленок 83
6.3. Влияние облучения низкоэнергетичными ионами в ходе ионно-лучевого травления на свойства эпитаксиальных пленок YBCO 85
6.4. Стабилизация сверхпроводящих свойств тонких пленок YBCO с помощью пассивирования серебром 89
6.5. Выводы 92
7. Исследование возможности использования тонких эпитаксиальных ВТСП-пленок в качестве детекторов ИК-диапазона . 93
7.1. Требования, предъявляемые к пленкам ВТСП 93
7.2. Измерения электрофизических и шумовых характеристик ВТСП-пленок 95
7.2.1. Изготовление образцов и методика измерений 95
7.2.2. Результаты измерений 96
7.3. Характеристики болометров на основе ВТСП 104
7.4. Выводы 106
Заключение 107
Литература 108
