Введение
1. Литературный обзор 9
1.1. Методы обнаружения пламени и очагов возгорания 9
1.2. Фото детекторы излучения ближнего и среднего ИК-диапазона 12
1.3. Методы получения тонких пленок сульфида свинца 15
1.4. Гидрохимическое осаждение пленок сульфида свинца 16
1.5. Влияние условий осаждения на микроструктуру пленок PbS
и их фоточувствительные свойства 21
1.6. Методы сенсибилизации пленок сульфида свинца к ИК-излучению 24
2. Методы исследования условий получения и свойств пленок сульфида свинца 29
2.1. Химические реактивы 29
2.2. Методика гидрохимического синтеза пленок PbS 29
2.3. Кинетические исследования образования твердой фазы PbS 30
2.4. Определение толщины пленок PbS 32
2.5. Структурные исследования пленок PbS 32
2.6. Исследование фазового и элементного состава пленок PbS 33
2.7. Исследование микроструктуры пленок PbS 33
2.8. Нанесение электрохимических контактов 33
2.9. Исследование спектральных и фотоэлектрических характеристик пленок PbS 34
2.10. Низкотемпературные исследования пленок PbS 36
3. Определение условий образования сульфида свинца и исследование кинетики его осаждения в присутствии галогенидов аммония 37
3.1. Анализ условий образования сульфида свинца в аммиачно-цитратной системе 37
3.2. Синтез пленок сульфида свинца из аммиачно-цитратных растворов 46
3.2.1. Кинетика осаждения пленок PbS из аммиачно-цитратной системы 46
3.2.2. Кинетические особенности образования пленок PbS при введении в реакционный раствор галогенид-ионов 50
4. Структура, состав, морфология и фотоэлектрические свойства пленок pbs, допированных галогенами 59
4.1. Состав, микроструктура и морфология пленок PbS, осажденных в присутствии галогенидов аммония 59
4.2. Фотоэлектрические и спектральные характеристики пленок PbS, допированных галогенами 73
4.3. Низкотемпературные исследования допированных галогенами пленок PbS 82
5. Технология изготовления и исследование экспериментальных образцов фотодетекторов на основе галогенсодержащих пленок PbS 88
5.1. Технология изготовления одноэлементных фоторезисторов на основе химически осажденного сульфида свинца 88
5.2. Исследование спектральных, частотных и фотоэлектрических характеристик фоторезисторов на основе галогенсодержащих пленок PbS 90
5.3. Исследование эксплуатационных характеристик фоторезисторов 96
5.4. Рекомендации по использованию разработанных фоторезисторов на основе галогенсодержащих пленок PbS 103
Выводы 106
