Физико-технологические основы создания функциональных элементов наноэлектроники на основе квазиодномерных проводников

Бобринецкий, Иван Иванович. Физико-технологические основы создания функциональных элементов наноэлектроники на основе квазиодномерных проводников : диссертация ... доктора технических наук : 05.27.01 / Бобринецкий Иван Иванович; [Место защиты: Моск. гос. ин-т электронной техники].- Москва, 2010.- 354 с.: ил. РГБ ОД, 71 11-5/186
Автор
Бобринецкий, Иван Иванович
Год
2010

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN
99 000 UZS
Автор
Сергеев Сергей Алексеевич
Количество страниц
Год
2010
Структура и электронные характеристики пиролизованного полиакрилонитрила
99 000 UZS
Автор
Давлетова Олеся Александровна
Количество страниц
Год
2010
Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур
99 000 UZS
Автор
Гусев Евгений Юрьевич
Количество страниц
Год
2009
Исследование и разработка двухколлекторного биполярного магнитотранзистора с повышенной магниточувствительностью
99 000 UZS
Автор
Козлов Антон Викторович
Количество страниц
Год
2009
Генерация неравновесных точечных дефектов и сопутствующие ей эффекты при физико-химических воздействиях на поверхность кристаллов
99 000 UZS
Автор
Итальянцев, Александр Георгиевич
Количество страниц
Год
2009
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3