Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий

Алалыкин Александр Сергеевич. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : Ижевск, 2004 182 c. РГБ ОД, 61:04-1/1125
Автор
Алалыкин Александр Сергеевич
Год
2004
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА 1. Влияние обработки ионами различных энергий на элементный состав, структуру и электрофизические свойства полупроводников
1.1 Основные процессы, происходящие в твердом теле под действием ионов
1.1.1 Взаимодействие ионов с твердым телом, радиационные дефекты 10
1.1.2 Пробеги ионов в твердых телах 12
1.1.3 Распыление 15
1.1.4 Ионная имплантация и перемешивание под действием ионной бомбардировки 20
1.2 Топология поверхности и структура облученного GaAs 22
1.2.1 Перераспределение дислокаций в GaAs при облучении ионами 26
1.3 Влияние облучения на оптические и электрофизические свойства облученного GaAs
1.3.1 Энергетический спектр облученного GaAs 28
1.3.2 Электрические свойства 30
1.3.3 Оптические свойства 33
1.3.4 Фотоэлектрические свойства 35
1.4 Эффекты дальнодействия
1.4.1 Экспериментальные результаты обнаружения эффекта дальнодействия 36
1.4.2 Диффузионная модель эффекта дальнодействия 39
1.4.3 Модель упругих волн 43
1.4.4 Модель волны переключения 47
1.4.5 Модель переноса энергии 51
1.4.6 Другие механизмы 53
Выводы к первой главе и постановка задачи 55
ГЛАВА 2. Методы проведения обработки и исследований
2.1 Подготовка и обработка образцов 57
2.2 Методы исследований
2.2.1 Оже - электронная спектроскопия 58
2.2.2 Метод определения коэффициента отражения в ближней ИК и видимой области 59
2.2.3 Эллипсометрия 59
2.2.4 Бесконтактный ВЧ-емкостной метод измерения спектральной зависимости фотопроводимости 60
2.2.5 Структурно-аналитическая теория прочности 63
ГЛАВА 3. Элементный состав, структура, электрофизические и оптические свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий
3.1 Перераспределение основных компонент GaAs после облучения. Распределение дефектов по глубине 66
3.2 Эллипсометрические, оптические и фотоэлектрические свойства облученного арсенида галлия 81
Выводы к третьей главе 96
ГЛАВА 4. Диффузионная кинетика точечных дефектов 98
4.1 Кинетические коэффициенты упругого взаимодействия точечных дефектов 99
4.1.1 Упругое взаимодействие точечных дефектов 101
4.1.2 Упругое взаимодействие точечных дефектов с дислокацией 105
4.1.3 Эффективные сечения и скорость образования дивакансий и тривакансий. Сечения и скорость захвата вакансий и дивакансий дислокациями 107
4.2 Нелинейные уравнения диффузионной кинетики точечных дефектов. Устойчивость 114
4.3 Волновые решения диффузионной кинетики 119
Выводы к четвертой главе 133
ГЛАВА 5. Кинетика дислокаций в деформируемых облученных материалах
5.1 Расчет термоупругих и внутренних напряжений 134
5.2 Уравнения структурно-аналитической теории прочности расчета пластической деформации в облученных материалах. Плотность дислокаций. Численные расчеты 145
Выводы к пятой главе 157
Заключение 158
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Баскаков Александр Александрович
Количество страниц
Год
2004
99 000 UZS
Автор
Шиляев Павел Анатольевич
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Баранов, Виктор Павлович
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3