Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике

Чугров, Иван Александрович. Формирование и оптоэлектронные свойства периодических структур с массивами нанокристаллов кремния в диэлектрике : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Чугров Иван Александрович; [Место защиты: Нижегор. гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского].- Нижний Новгород, 2012.- 153 с.: ил. РГБ ОД, 61 12-1/1199
Автор
Чугров, Иван Александрович
Год
2012

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации
99 000 UZS
Автор
Шашкин, Илья Сергеевич
Количество страниц
Год
2012
Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
99 000 UZS
Автор
Блошкин, Алексей Александрович
Количество страниц
Год
2011
Структура и механические свойства кристаллов ZrO2 частично стабилизированных Y2O3
99 000 UZS
Автор
Милович, Филипп Олегович
Количество страниц
Год
2013
Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
99 000 UZS
Автор
Булатов, Альберт Рунарович
Количество страниц
Год
2011
Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров
99 000 UZS
Автор
Налимова, Светлана Сергеевна
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3