Формирование поверхности Si(111) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора

Балашев Вячеслав Владимирович. Формирование поверхности Si(111) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07.- Владивосток, 2002.- 196 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-1/120-X
Автор
Балашев Вячеслав Владимирович
Год
2002

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия многослойных поверхностных структур
99 000 UZS
Автор
Барановский Роман Евгеньевич
Количество страниц
Год
2002
Энергетический спектр и подвижность носителей заряда в двумерных полупроводниковых системах
99 000 UZS
Автор
Альшанский Глеб Алексеевич
Количество страниц
Год
2002
Переходы кристалл-аморфное состояние при нормальном и высоком давлении в системах с полупроводниковыми фазами
99 000 UZS
Автор
Баркалов Олег Игоревич
Количество страниц
Год
2002
Кинетика кластерообразования при вакуумной конденсации металлов из одно- и двухкомпонентного пара
99 000 UZS
Автор
Андрусевич Дмитрий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2002
Структура и электронные свойства чистой и покрытой ультратонкими металлическими слоями поверхности полупроводников в интервале температур 10К - 1200К
99 000 UZS
Автор
Аристов Виктор Юрьевич
Количество страниц
Год
2002
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3