Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости
Рыбальченко, Андрей Юрьевич. Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рыбальченко Андрей Юрьевич; [Место защиты: С.-Петерб. гос. политехн. ун-т].- Санкт-Петербург, 2013.- 125 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-1/215
