Введение
Глава I. Литературный обзор
1. Центры с глубокими уровнями в соединениях АIIВVI .9
1.1 Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках 9
1.2Методы исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах 15
1.3 Фотоактивационные процессы с участием электронных и дырочных ЦП. Индуцированная примесная фотопроводимость 16
1.4. Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП 21
1.4.1. Теория термоактивационной спектроскопии .21
1.4.2 Анализ формы спектров ТСТ и ТСЛ и методы определения характеристических параметров ловушек .24
1.5 Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в полупроводниках А2В6 28
1.5.1. Структурные дефекты и их ассоциаты в кристаллах соединений А2В6 29
1.5.2. Глубокие центры, обусловленные примесями Ag, Cu; u Аи; в соединениях А2В6 32
1.6. Механизмы фотохимических реакций дефектов и параметры фотохимически активных центров в полупроводниках А2В6 38
1.6.1. ФХР, связанные с ассоциацией доноров 39
1.6.2. ФХР, связанные с ассоциацией и распадом ДАП .41
1.6.3. ФХР, связанные с увеличением концентрации доноров из-за их отхода от дислокационных стоков 42
ВЫВОДЫ: 44
ГЛАВА II Методика и техника эксперимента
2.1 Экспериментальные установки .45
2.2 Методика обработки данных эксперимента 47
ГЛАВА III. Результаты эксперимента и их обсуждение
3.1 Фотостимулированные процессы в кристаллах CdS и CdS1-хSeх лег-прованных примесями Rb .51
3.1.1. Методика эксперимента 53
3.1.2.Спектры ПФ и ИПФ в кристаллах CdS:Rb 54
3.1.3.Спектры ПФ и ИПФ в кристаллах CdS1-хSeх Rb 59
3.2. Оптическое и термическое гащения фотопроводимости 62
3.3. Термстимулированная провадимость в кристаллах CdS и CdS1-хSeх легированных примесями Rb .65
3.4. Обсуждение и анализ экспериментальных результатов .75
3.4.1.Фотохимически устойчивые и неустойчивые оптически активные CdS Rb и CdS1-хSeх Rb
3.4.2 Оптически неактивные электронные ЦП 82
3.4.3.Роль макронарушенийкристаллическойрешетки и отталкивающихба-рьероввфото-, термостимулированных процессах 91
Выводы .100
Литература .
