Введение
1. Халькогениды свинца: особенности структуры, магнитные и электро-транспортные свойства 14
1.1. Особенности структуры кристаллов халькогенидов свинца и их физические свойства 15
1.2. Зонные диаграммы халькогенидов свинца 24
1.3. Виды дефектов кристаллической решетки халькогенидов свинца и их влияние на электротранспортные свойства 31
1.4. Свойства глубоких примесных парамагнитных дефектов в халькогенидах свинца и их влияние на кристалл-матрицу:
данные исследований нерезонансными методами 38
1.5. Результаты изучения глубоких примесных парамагнитных дефектов в кристаллах халькогенидов свинца методом ЭПР 43
1.6. Заключение по главе 54
2. Приготовление образцов и техника эксперемента 56
2.1. Приготовление образцов 56
2.2. Техника эксперимента и методика измерений 61
3. Электронный парамагнитный резонанс полупроводников pbi xmnxte: новые экспериментальные факты 67
3.1. Кристаллы РЬТе как перспективные материалы современной электроники и наноэлектроники 67
3.2. Основные результаты экспериментального исследования кристаллов Pbi-xMnxTe методом ЭПР 70
3.3. Заключение по главе 86
4. Влияние примеси марганца на динамическую усоичивость решетки узкозонного полупроводника PBI xmnxs: данные изучения методом ЭПР 88
4.1. Введение 88
4.2. Угловые, концентрационные и температурные зависимости в спектрах ЭПР узкозонных полупроводников Pbi.xMnxS 89
4.3. Заключение по главе 102
5. ЭПР кристаллов Pbi xGdxTe с резко неоднородным распределением примесного гадолиния 104
5.1. Особенности легирования халькогенидов свинца редкоземельными -ионами 104
5.2 Концентрационные эффекты в спектрах ЭПР кристаллов Pbi.xGdxTe (0,002 х 0,02) 108
5.3. Феноменологическое описание спектров ЭПР кристаллов, содержащих парамагнитные центры с S= 7/2 (Gd ) 116
5.4. Обсуждение результатов экспериментов 130
5.5. Заключение по главе 134
Заключение 135
Список основных публикаций автора 138
Библиографический список
