Введение
Глава 1. Обзор работ в области электронных свойств модулированно-легированных гетероструктур ІпАІАвЯпСаАвЯпАІАв 10
1.1 Двумерный электронный газ в полупроводниковых модулированно-легированных гетероструктурах 10
1.2 Полупроводниковые НЕМТ-гетероструктуры на подложках GaAs и InP 13
1.3 Фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур с квантовыми ямами
InGaAs/InAlAs 21
Выводы 32
Глава 2. Экспериментальные и теоретические методы исследования 33
2.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия 33
2.1.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов AlGalnAs 33
2.1.2 Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «ЦНА-24» 2.2 Методика определения концентрации и подвижности электронов 41
2.3 Спектроскопия фотолюминесценции 43
2.4 Просвечивающая электронная микроскопия 45
2.5 Моделирование зонной структуры полупроводниковых гетероструктур
2.5.1 Моделирование зонной структуры полупроводниковых гетероструктур в приближении огибающей волной функции 48
2.5.2 Зонная структура тройных твердых растворов InGaAs и InAlAs и гетероструктур на их основе 56
Глава 3. Расчет электронного спектра модулированно-легированных гетероструктур InAlAsflnGaAs 63
3.1 Влияние концентрации легирования на электронный спектр в квантовых ямах Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As 65
3.2 Влияние толщины квантовой ямы Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As на спектр двумерного электронного газа 70
3.3 Влияние состава квантовой ямы InxGai xAs/Ino.52Alo.48As на электронный спектр 72
3.4 Влияние толщины спейсера на зонную структуру Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.4sAs 73
3.5 Влияние толщины барьера на зонную структуру Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As 74
3.6 Влияние содержания In в барьере на зонные диаграммы Ino.53Gao.47As/InyAl1-yAs 76
Выводы 77
Глава 4. Спектроскопия фотолюминесценции модулированно-легированных наногетероструктур ІпСаАвЯпАІАв с напряженными вставками InAs и GaAs
4.1 Наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках InP со вставками InAs различной толщины в квантовой яме 79
4.1.1 Структура и условия получения экспериментальных образцов 79
4.1.2 Электронная микроскопия 81
4.1.3 Спектроскопия фотолюминесценции наногетероструктур InGaAs/InAlAs со вставками InAs различной толщины 85
4.1.4 Моделирование зонной структуры квантовых ям InGaAs/InAlAs со вставками InAs различной толщины 90
4.2 Наногетероструктуры InGaAs/InAlAs на подложках InP с парными вставками InAs и/или GaAs в квантовой яме 95
4.2.1 Структура и условия получения экспериментальных образцов 95
4.2.2 Электронная микроскопия 97
4.2.3 Спектроскопия фотолюминесценции наногетероструктур InGaAs/InAlAs на подложках InP с парными вставками InAs и/или GaAs 100
4.2.4 Моделирование зонной структуры квантовых ям InGaAs/InAlAs с парными вставками InAs и/или GaAs 105
4.2.5 Обсуждение результатов 110
Выводы 112
Глава 5. Спектроскопия фотолюминесценции метаморфных модулированно легированных гетероструктур ІПхСаі-хАвЯпуАІі.уАв 113
5.1 Метаморфные НЕМТ-гетероструктуры InxGai-xAs/InxAli xAs на подложках GaAs
с содержанием индия х 0.7 в квантовой яме 114
5.1.1 Структура и условия получения образцов 114
5.1.2 Спектроскопия фотолюминесценции метаморфные гетероструктур InxGai-xAs/ InxAli.xAs с содержанием индия х 0.7 в квантовой яме 116
5.2 Метаморфные НЕМТ-гетероструктуры InxGai xAs/InxAli xAs на подложках GaAs с содержанием индия х 0.4 в квантовой яме 122
5.2.1 Структура и условия получения образцов 122
5.2.2 Спектроскопия фотолюминесценции метаморфных НЕМТ-гетероструктур InxGai xAs/InxAli xAs на подложках GaAs с содержанием индия х 0.4 125
В ывод ы 130
Заключение 131
Список сокращений и условных обозначений 133
Список литературы
