Введение
Глава 1 Гетеросистемы из полупроводников класса АГ11 ИАШВУ 12
1.1 Кристаллографические и электрофизические свойства халькогенидов А Ш-о VI -п
типа А2 В3 12
1.2 Твёрдые растворы в гетеросистемах A2niB3VI-AniBv 19
1.3 Наноструктуры на основе полупроводников А В и гетеровалентное замещение 29
1.4 Физико-химические основы метода гетеровалентного замещения в системах халькоген - полупроводник А В 37
Глава 2 Формирование гетероструктур A2inB3VI-AniBv 49
2.1 Методы подготовки подложек А В и образование собственных оксидов на поверхности полупроводников А В 49
2.2 Топология поверхности слоев фазы А2 Вз в гетероструктурах A2inB3VI/AinBv 63
2.3 Определение толщины слоев фазы А2 Вз нанометрового диапазона.74
2.3.1 Методика эллипсометрических измерений 74
2.3.2 Комплексное применение методов эллипсометрии, рентгеноспектрального микроанализа и атомно-силовой микроскопии для определения толщины слоев полупроводников нанометрового масштаба 75
2.4 Кинетика формирования гетероструктур A2niB3VI/AinBv 81
2.5 Механизм гетеровалентного замещения и получение атомно-гладкой поверхности полупроводников А В 96
Глава 3 Реконструкция поверхности полупроводников ainbv и образование поверхностных фаз и тонких слоев A2inB3VI 100
3.1 Реконструкция атомарно-чистой поверхности полупроводников А В
3.2 Образование поверхностных фаз и тонких слоев А2 Вз (100) на поверхности полупроводников А В (100) 103
3.2.1 Образование поверхностных фаз и тонких слоев A2niB3VI(100) на поверхности GaAs(100) 103
3.2.2 Образование поверхностных фаз и тонких слоев A2niB3VI(100) на поверхности InAs(l00) 118
3.2.3 Образование поверхностных фаз и тонких слоев А2 Вз (100) и на поверхности GaP(100) 124
3.3 Образование поверхностных фаз и тонких слоев А2 Вз (111) на поверхности полупроводников А В (111) 128
3.3.1 Образование поверхностных фаз и тонких слоев А2 Вз (Ш) на поверхности GaAs(lll) 132
3.3.2 Образование поверхностных фаз и тонких слоев А2 Вз (Ш) на поверхности InAs(lll) 136
3.3.3 Образование поверхностных фаз и тонких слоев А2 Вз (Ш) на поверхности GaP(lll) 1 3.4 Закономерности образования поверхностных упорядоченных фаз и тонких слоев А2 Вз на поверхности полупроводников А В 146
3.5 Электронная микроскопия наногетероструктур GaAs/(Ga2Se3)/GaAs(100) 153
Глава 4 Электронные состояния в запрещённой зоне на поверхности и в приповерхностной области полупроводников AinBv в гетероструктурах A2inB3VI/AniBv 157
4.1 Поверхностные электронные состояния и закрепление уровня Ферми в полупроводниках А В 157
4.2 Пассивация поверхностных электронных состояний и открепление уровня Ферми в полупроводниках А В 164
4.3 Поверхностные электронные состояния в гетероструктурах Ме/А В и Ме/А21ПВзУ1/АшВу с барьером Шоттки 169
4.4 Электронные состояния в приповерхностной области полупроводника АШВv в гетероструктурах Ме/АшВv и Me/A2inB3VI/AinBv 189
4.5 Консервация поверхности полупроводников А В 200
Глава 5 Фотоэлектрические характеристики гетероструктур Аз з -А11 211
5.1 Фотоэлектрические преобразователи и фото детекторы на основе полупроводников А В 211
5.2 Фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур Me/A2inB3VI/AinBv с барьером Шоттки 218
5.3 Многопереходные фотоэлектрические преобразователи: новые возможности и перспективы 226
Основные результаты и выводы 240
Список литературы
