Введение
Глава 1. Релаксация экситонов в полупроводниках при оптической накачке 11
1.1 Динамика релаксации экситонов в полупроводниках 11
1.1.1 Оптическая накачка объемных полупроводников и гетероструктур с квантовыми ямами 12
1.1.2 Экситон-фононное взаимодействие 18
1.1.3 Излучательная рекомбинация экситонов 19
1.1.4 Коррелированная электрон-дырочная плазма и экситоны 22
1.2 Квантовые биения в полупроводниках 24
1.2.1 Простейшее описание квантовых биений 24
1.2.2 Квантовые биения магнитоэкситонов 26
1.2.3 Квантовые биения между экситонами с легкой и тяжелой дырками 30
1.2.4 Интерференция поляризаций и квантовые биения 32
Глава 2. Экпериментальные установки и образцы 37
2.1 Образцы 37
2.2 Экспериментальная установка стационарной спектроскопии 39
2.3 Экспериментальная установка импульсной спектроскопии 41
Глава 3. Некогерентная динамика релаксации экситонов в полупроводниковых гетероструктурах 43
3.1 Спектры ФЛ, ВФЛ и отражения образца Р554 с одиночной квантовой ямой InGaAs/GaAs. 43
3.1.1 Экситонные резонансы в спектрах ФЛ при различных температурах и мощностях накачки 50
3.1.2 Кинетика экситонных состояний 54
3.2 Обсуждение экспериментальных результатов 59
3.3 Заключение
Глава 4. Квантовые биения квантово-размерных экситонных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами 67
4.1 Наблюдение квантовых биений 68
4.2 Интерпретация наблюдаемого сигнала 74
4.3 Теоретическая модель квантовых биений в сигнале накачка-зондирование для многоуровневой квантовой системы
4.3.1 Положительные задержки 83
4.3.2 Отрицательные задержки 85
Заключение 87
Список сокращений и условных обозначений 89
Список литературы
