Введение
Глава 1. Литературный обзор. Образование радиационных наруше-ний в твердых кристаллических телах при облучении
1.1 Введение 13
1.2 Пороговая энергия образования радиационных дефектов 14
1.3 Первычные эффектные смещения атомов в узлах при электронном облучении 15
1.4 Деффекты смещения атомов в узлах при гамма-облучении 17
1.5 Возбуждение неравновесных электронов и дырок при облучении. 18
1.6 Возникновение тока ионизации в двухслойной структуре (p-n переходе) 20
1.7 Радиационные эффекты в полупроводниках при облучении их малыми дозами облучения 22
1.8 Влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые изделия 24
Заключение 47
Глава 2. Поверхностные радиационные явления в полупроводниковых структурах
2.1 Поверхностные радиационные эффекты в полупроводниковых структурах 48
2.2 Деградационные эффекты в облученных структурах 58
2.3 Поверхностные радиационные явления в структурах с инжекционным питанием 62
2.4 Вторичные ионизационные эффекты в полупроводниковых структурах 63
Заключение 82
Глава 3. Использование ионизирующего излучения в технологии полупроводниковых структур и изделий
3.1 Влияние облучения на биполярные интегральные микросхемы 83
3.2 Влияние радиации на интегральные микросхемы ТТЛ и ТТЛШ
3.3 Влияние облучения на интегральные микросхемы И2Л 87
3.4 Изменение параметров аналоговых микросхем под действием
3.5 Воздействие импульсного облучения на микросхемы 99
3.6 Влияние импульсной радиации на МДП интегральных микросхем 101
Глава 4. Эффекты защелкивания в полупроводниковых структурах и изделиях в поле дестабилизирующих факторов
4.1 Эффекты защелкивания в полупроводниковых структурах
4.2 Основные предпосылки эффекта защелкивания в интегральных
4.3 Эффекты защёлкивания в полупроводниковых структурах
4.4 Влияние электрического режима полупроводниковых структур
4.5 Влияние и уровни внешних дестабилизируюших воздействий
4.6 Электрическое защелкивание в полупроводниковых струк
4.7 Моделированние эффектов защелкивания 136
4.8 Электрические эквивалентные схемы для анализа эффекта
4.9 Аналитические методы расчета параметров элементов
4.10 Экспериментальные методы возбуждения защелкивания в полупроводниковых структурах 155
4.11 Выявление слабых мест полупроводниковых структур при защелкивании 159
4.12 Аттестационные испытания полупроводниковых структур
4.13 Радиационное защёлкивание в биполярных микросхемах 169
4.14 Радиационное защёлкивание в микросхемах на униполярных
Глава 5. Моделирование работы полупроводниковых структур при внешних воздействиях
5.1 Физические проблемы моделирования воздействия облучения лазером в широком диапазоне температур 179
5.2 Экпериментальные методы исследования воздействия лазерного излучения на полупроводниковые структуры 183
5.3 Температурные исследования параметров моделей физического
Общее заключение
