Введение
1. Основные свойства тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn 10
1.1. Структура и параметры тонкопленочных электролгоминесцентных излучателей 10
1.2. Основные характеристики ТП ЭЛИ. 23
1.3. Физические процессы, протекающие в ТП ЭЛИ 28
1.4. Глубокие центры в сульфиде цинка, легированном марганцем 37
1.5.Выводы 44
2. Определение характеристик и параметров процессов туннелирования электронов и ударной ионизации в тп эли на основе ZnS:Mn 46
2.1. Методика определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn 46
2.2. Уточнение методики определения основных характеристик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn 50
2.3. Анализ методической погрешности определения основных характерис тик туннелирования и ударной ионизации в ТП ЭЛИ на основе ZnS:Mn 55
2.4.Выводы 61
3. Исследование влияния условий возбуждения на характеристики туннелирования и ударной ионизации в тп эли на основе ZnS:Mn 63
3.1. Описание исследуемых образцов и эксперимента 63
3.2. Экспериментальное исследование характеристик туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях 66
3.3 Экспериментальное исследование характеристик туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях с использованием уточненной методики 85
3.4.Выводы 94
4. Исследование характеристик поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn 96
4.1. Методика определения основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-полупроводник 96
4.2. Экспериментальное исследование основных характеристик поверхностных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-полупроводник 101
4.3.Выводы 112
Заключение 114
