Введение
1. Четверные и пятерные твердые растворы соединений AniBv - материалы для полупроводниковой оптоэлектроники ИК- области спектра 15
1.1. Закономерности изменения основных электрических свойств в зависимости от состава для четверных и пятерных твердых растворов 15
1.2. Четверные и пятерные гетеросистемы, полученные на бинарных подложках GaAs, InP, InAs, GaSb
1.2.1. Гетеросистемы AlGaPAs (GaAs), AlGalnPAs (GaAs). 42
1.2.2. Гетеросистемы GalnPAs (InP), GalnPAsSb (InP). 50
1.2.3. Гетеросистемы InPAsSb (InAs), GalnPAsSb (InAs) 54
1.2.4. Гетеросистемы GalnAsSb (GaSb), GalnPAsSb (GaSb) .63
1.3. Основные термодинамические модели растворов. Ограничения на получение твердых растворов 68
1.4. Постановка задачи исследования 83
Выводы 85
2. Термодинамика пятикомпонентных изоморфных твердых растворов AIUBV 87
2.1. Гетерогенные равновесия в пятикомпонентных твердых растворах .87
2.2. Расчет областей несмешиваемости в пятикомпонентных твердых растворах . 104
2.3. Когерентная диаграмма состояния пятикомпонентных систем 111
2.4. Влияние кристаллографической ориентации подложки на состав твердых растворов при жидкофазноЙ эпитаксии 120
2.5. Эффект стабилизации периода решетки в пятикомпонентных системах 131
2.6. Ограничение по плавкости в пятикомпонентных системах
Выводы 146
3. Кинетическая модель роста пятикомпонентных твердых растворов 150
3.1. Кинетическая модель роста пятикомпонентных твердых растворов из полубесконечной жидкой фазы 150
3.2. Модель полного перемешивания жидкой фазы 154
3.3. Кинетические особенности жидкофазной эпитаксии пятерных твердых растворов. 156
Выводы ...1.7.4
4. Аппаратурное оформление, способы получения и методики исследования эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов соединении А В и гетерокомпозиции на их основе 178
4.1. Аппаратурное оформление процессов эпитаксии из жидкой фазы многокомпонентных твердых растворов, контроль температурно-временного режима эпитаксии 178
4.1.1. Устройства для жидкофазной эпитаксии 179
4.1.2. Аппаратурное и методическое оформление процесса ЗПГТ 181
4.2. Подготовка исходных материалов и расплава к процессу эпитаксии 198
4.3. Определение температуры ликвидуса и величины критического переохлаждения жидкой фазы с помощью визуально-термического анализа 211
4.4. Методы получения эпитаксиальных структур многокомпонентных твердых растворов 214
4.4.1. Жидкофазная эпитаксия многокомпонентных твердых растворов 215
4.4.2. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных твердых растворах 217
4.4.3. Новый метод получения многокомпонентных твердых растворов, совмещающий в себе жидкофазную эпитаксию и зонную перекристаллизацию градиентом температуры 221
4.5. Методы анализа кристаллического совершенства многокомпонентных твердых растворов 224
Выводы 229
5. Получение и свойства эпитаксиальных слоев соединений АШВУ 231
5.1. Твердые растворы на основе InP 241
5.1.1. Твердые растворы GalnAs, GalnPAs и эпитаксиальные слои InP на основе монокристаллической подложки InP, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры 241
5.1.2. Твердые растворы GalnPAs, GalnPAsSb на монокристаллических и пористых подложки InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии 245
5.2. Твердые растворы AlGaAs, AlGaPAs, AlGalnPAs на основе GaAs 267
5.3. Твердые растворы InPAsSb, GalnPAsSb на основе InAs 282
5.4. Твердые растворы GalnPAsSb на основе GaSb 306
5.5 Получение гетероструктур GaAs/Ge методом быстрого охлаждения раствора-расплава 325
Выводы ...333
6. Применение многокомпонентных твердых растворов соединений ArnBv для приборов ИК-диапазона спектра 335
6.1. Фотоприемники на длину волны 1,06 мкм на основе гетероструктуры GalnPAs/InP 341
6.2. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур InPAsSb/InAs, GalnPAsSb/InAs 345
6.3. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктуры GaAs/Ge 354
6.4. СВЧ-диоды Шоттки на основе структуры ІпР/ІпР (нанопористая подложка) 360
Выводы 364
Заключение 366
Основные результаты и выводы 368
Литература.
