Введение
ГЛАВА 1. Различные виды оксидирования арсенида галлия и фосфида индия как методы создания на их поверхности полупроводниковых и диэлектрических пленок 18
1.1. Пассивация поверхности фосфида индия и арсенида галлия различными видами оксидирования 18
1.1.1. Механизм формирования и состав собственных термических оксидов на фосфиде индия и арсениде галлия.. 21
1.1.2. Оксидирование арсенида галлия и фосфида индия, стимулированное различными видами излучения 28
1.1.3. Анодное, химическое, и плазменное оксидирование арсенида галлия и фосфида индия 29
1.2. Хемостимулированное оксидирование полупроводников AIIIBV 33
1.2.1. Химическая природа хемостимуляторов термооксидирования полупроводников AIIIBV и способы введения их в систему 33
1.2.2. Соединения d-металлов как хемостимуляторы термического оксидирования AIIIBV
1.3. Граница раздела слой хемостимулятора/AIIIBV: формирование, процессы, свойства 39
1.4. Заключение к главе 1 50
ГЛАВА 2. Методика формирования, термооксидирования и исследования гетероструктур mе (ме = ni,co,v) /inp (gaas), mеo (ме = ni,co,v)/inp (gaas), композиции оксидов (v2o5 +рbо, nio+pbo)/inp и наноостровковых структур V2O5/InP 52
2.1. Обоснование выбора объектов исследования 52
2.2. Исходные материалы и предварительная обработка 59
2.3. Обзор свойств используемых хемостимуляторов 62
2.3.1. Оксиды никеля 62
2.3.2. Оксиды кобальта 64
2.3.3. Оксиды ванадия 66
2.3.4. Оксиды свинца 68
2.4. Синтез гетероструктур Mе (Ме = Ni,Co,V)/InP (GaAs), MеO (Ме =
Ni,Co,V)/InP (GaAs), композиции оксидов (V2O5 +РbО,
NiO+PbO)/InP и наноостровковых структур V2O5/ InP 70
2.4.1. Магнетронное распыление 71
2.4.2. Вакуумно-термическое испарение 74
2.4.3. Электровзрыв проводника
2.5. Термическое оксидирование образцов и методика обработки результатов 80
2.6. Лазерная и спектральная эллипсометрия как метод определения оптических свойств оксидных пленок и измерения их толщины 85
2.7. Методы анализа элементного и фазового состава пленок на поверхности InP и GaAs 2.7.1. Рентгенофазовый анализ (РФА) 90
2.7.2. ИК спектроскопия (ИКС) 92
2.7.3. Оже-электронная спектроскопия (ОЭС) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) 94
2.7.4. Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия (УМРЭС) 95
2.7.5. Локальный рентгеноспектральный микроанализ (ЛРСМА) 96
2.8. Методы мониторинга морфологии поверхности плнок 97
2.8.1. Растровая электронная микроскопия (РЭМ) 97
2.8.2. Сканирующая зондовая микроскопия
2.8.2.1. Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) 99
2.8.2.2. Атомно-силовая микроскопия (АСМ) 100
2.9. Методика измерения электрофизических свойств плнок 100
2.10. Заключение к главе 2 101
ГЛАВА 3. Формирование наноразмерных оксидных пленок термическим оксидированием гетероструктур Me (Ni, Co, V)/АIIIВV 103
3.1. Термооксидирование магнетронно сформированных гетероструктур Me(Ni, Co)/GaAs 103
3.2. Термическое оксидирование гетероструктур Me (Ni, Co)/GaAs, сформированных методом вакуумно-термического испарения 117
3.3. Термооксидирование гетероструктур Ni/InP и Co/InP 126
3.4. Формирование наноразмерных пленок оксидированием гетероструктур V/АIIIВV 138
3.5. Выводы к главе 3 155
ГЛАВА 4. Влияние физико-химической природы оксидов-хемостимуляторов, магнетронно нанесенных на поверхность gaas и inp, на процессы формирования, состав и свойства термических оксидных пленок 158
4.1. Термическое оксидирование гетероструктур на основе арсенида галлия: NiO/GaAs и Co3O4/GaAs 159
4.2. Формирование оксидных пленок термооксидированием гетероструктур NiO/InP и Co3O4/InP 183
4.3. Термооксидирование гетероструктур V2O5/АIIIВV 198
4.4. Выводы к главе 4 214
ГЛАВА 5. Островки V2O5 на поверхности inp как активные центры оксидирования полупроводника . 216
5.1. Кинетические характеристики процесса термооксидирования наноостровковых структур V2О5/InP 216
5.2. Состав и свойства пленок, сформированных оксидированием InP с наноразмерными островками V2О5 на поверхности 222
5.3. Выводы к главе 5 229
ГЛАВА 6. Воздействие наноразмерных слоев композиций хемостимуляторов v2o5 +рbо и nio+pbo на поверхности inp на термооксидирование полупроводника 231
6.1. Кинетические закономерности процессов оксидирования гетероструктур (V2O5+РbО)/InP и (NiO+PbO)/InP 232
6.2. Динамика изменения состава пленок, сформированных оксидированием (V2O5+РbО)/InP и (NiО+РbО)/InР 248
6.3. Оптические и электрофизические характеристики пленок 262
6.4. Выводы к главе 6 271
ГЛАВА 7. Многофункциональность воздействия ni, co, v и их оксидов в процессах ступенчатого хемостимулированного синтеза наноразмерных пленок термооксидированием gaas и inp 273
Выводы 305
Сокращения и условные обозначения 307
Список литературы
