Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком

Салтымаков Максим Сергеевич. Импульсное осаждение полупроводниковых плёнок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком : диссертация ... кандидата технических наук : 01.04.07 / Салтымаков Максим Сергеевич; [Место защиты: Том. политехн. ун-т].- Томск, 2010.- 102 с.: ил. РГБ ОД, 61 10-5/1600
Автор
Салтымаков Максим Сергеевич
Год
2010

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Авторезонансное возбуждение колебаний доменных стенок в ферромагнитном кристалле
99 000 UZS
Автор
Сухоносов Артем Львович
Количество страниц
Год
2010
Исследование электрофизических и морфологических свойств и поверхностных явлений в гетерогенных твердотельных наноразмерных системах
99 000 UZS
Автор
Тагаченков, Александр Михайлович
Количество страниц
Год
2010
Твердофазные превращения в сплавах на основе Ni под действием механической нагрузки
99 000 UZS
Автор
Тажибаева, Гаухар Баранбаевна
Количество страниц
Год
2010
Спектроскопия рентгеновского поглощения сложных соединений на основе редкоземельных элементов
99 000 UZS
Автор
Сидоров, Владимир Викторович
Количество страниц
Год
2010
Молекулярные структуры и фазовые переходы на межфазных границах по данным рассеяния синхротронного излучения
99 000 UZS
Автор
Тихонов, Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2010
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3