Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ

Вайтекунас Фердинандас. Импульсные процессы в электронных и оптоэлектронных полупроводниковых структурах, работающих в режиме большого сигнала на СВЧ: диссертация ... доктора физико-математических наук: 01.04.10 / Вайтекунас Фердинандас;[Место защиты: Вильнюсский университет].- Вильнюс, 2014.- 271 с.
Автор
Вайтекунас Фердинандас
Год
2014
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Электроника и генерация импульсных колебаний с высокой и сверхвысокой частотой повторения
1.1. Генерация импульсов с частотой повторения до сотен мегагерц 18
1.2. Полупроводниковая электроника и генерация электрических импульсов со сверхвысокой частотой повторения 22
1.3. Полупроводниковые лазеры для формирования и генерации импульсов светa в диапазоне СВЧ 28
1.4. Генерация импульсов на СВЧ и быстродействие систем электроники .32
1.4.1. Сверхбыстродействующая полупроводниковая электроника 32
1.4.2. Генерация импульсных колебаний на СВЧ 35
1.4.3. Тактовая частота, быстродействие вычислительных устройств и эффективность оптических систем передачи цифровой информации 42
1.4.4. Современное состояние генерации импульсных колебаний и методы определяющие быстродействие электронных систем
1.5. Постановка задачи 51
1.6. Для выполнения поставленной задачи, необходимо решить 54
Глава 2. Переходные и импульсные процессы в биполярных транзисторах
2.1. Переходные процессы 55
2.1.1.Включение транзистора 56
2.1.2.Выключение транзистора 65
2.2. Импульсный процесс и метод переноса для его анализа 68
2.2.1. Импульсный процесс и характеристика, метод переноса 69
2.2.2. Расчет импульсного процесса в транзисторе на СВЧ 78
2.2.3. Амплитудные спектры гармоник импульсных колебаний на СВЧ .83
2.3. Импульсные транзисторы 86
2.4. Методы измерения импульсно-частотных параметров 88
2.5. Формирователи импульсов со сверхвысокой частотой повторения 92
2.6. Основные результаты и выводы 93
Глава 3. Математическая модель и анализ импульсных процессов в транзисторах
3.1. Универсальная математическая модель 94
3.2. Численное решение системы уравнений модели 100
3.3. Переходные процессы в полевом транзисторе Шоттки 109
3.4. Импульсные процессы при переключении ПТЗШ 110
3.5. В канале ПТЗШ пульсирующий домен сильного поля 113
3.6. Характеристики импульсного полевого транзистора 114
3.7. Формирование импульсных колебаний 115
3.8. Импульсные процессы в разных структурах электроники 115
3.9. Основные результаты и выводы 117
Глава 4. Импульсные процессы в trapatt диоде в режиме генерации импульсных колебанй
4.1. Математическая модель для анализа импульсных процессов 119
4.2. Анализ импульсных процессов в TRAPATT диодах 124
4.3. Генерация импульсных колебаний 135
4.4. Переходные процессы 141
4.5. Метод расчета процессов в генераторе на TRAPATT диоде 144
4.6. Генераторы импульсных колебаний 148
4.7. Основные результаты и выводы 149
Глава 5. Туннелирование электронов в структурах со сверхрешетками и в кластерных образованиях
5.1. Быстродействие туннельных р-п переходов 151
5.2. Сверхрешетки, их быстродействие и функциональные возможности 155
5.3. Переключение кластерных сверхрешоток 159
5.4. Основные результаты и выводы 162
Глава 6 Импульсные процессы в инжекционных лазерах на СВЧ
6.1. Модели для анализа работы инжекционных лазеров на СВЧ 164
6.2. Импедансы и модуляционная характеристика инжекционных лазеров в широком диапазоне СВЧ 167
6.3. Согласование лазера с волноводом в широкой полосе СВЧ 174
6.4. Методы экспериментального исследования лазеров на СВЧ 180
6.5. Субгармонический резонанс в инжекционных лазерах 183
6.6. Инжекционный лазер в системе с внешним резонатором 188
6.6.1. Генерация самоподдерживающихся пульсаций и импульсов света..188
6.6.2. Режим активной синхронизации мод 194
6.6.3. Лазеры в режиме генерации импульсов 198
6.7. Оптический виброизмеритель и источник световых колебаний 200
6. 8. Основные результаты и выводы 201
Глава 7 Синхро – фотонная инжекция и импульсная электроника
7. 1. Синхро-фотонная электроника 204
7. 1. 1. Работа и свойства синхро-фотонных элементов 204
7. 1. 2. Синхро-фотонные транзисторы 205
7. 1. 3. Синхро-фотонные лавинно–пролетные диоды 206
7. 1. 4. Синхро-фотонная инжекция в гетеролазер 212
7. 1. 5. Модуляция лазера электрическими и оптическими сигналами 215
7. 2. Импульсная электроника и характерные ее особенности .217
7. 3. Основные результаты и выводы 223
Основные результаты и выводы 224
Список публикаций по теме диссертации 227
Список цитированной литературы

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Лосев Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2014
99 000 UZS
Автор
Манцевич Владимир Николаевич
Количество страниц
Год
2014
99 000 UZS
Автор
Марин Денис Викторович
Количество страниц
Год
2014
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3