Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Создание композитных светопреобразующих материалов для дисплейных и осветительных систем
Создание композитных светопреобразующих материалов для дисплейных и осветительных систем
99 000 UZS
Автор
Заярский, Дмитрий Александрович
Количество страниц
Год
2013
Магниторефрактивный эффект и магнитооптические эффекты как бесконтактный метод исследования наноструктур
Магниторефрактивный эффект и магнитооптические эффекты как бесконтактный метод исследования наноструктур
99 000 UZS
Автор
Юрасов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2014
Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образования доменов в диодах Ганна
Нелинейная динамика распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля и образования доменов в диодах Ганна
99 000 UZS
Автор
Кваско, Владимир Юрьевич
Количество страниц
Год
2013
Разработка и исследование технологических основ создания массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок для устройств микроэлектронной сенсорики
Разработка и исследование технологических основ создания массивов вертикально ориентированных углеродных нанотрубок для устройств микроэлектронной сенсорики
99 000 UZS
Автор
Климин, Виктор Сергеевич
Количество страниц
Год
2013
Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs
99 000 UZS
Автор
Козловский, Эдуард Юрьевич
Количество страниц
Год
2013
Высокочастотная система фазовой автоподстройки частоты, интегрированная в программируемую логическую интегральную схему
Высокочастотная система фазовой автоподстройки частоты, интегрированная в программируемую логическую интегральную схему
99 000 UZS
Автор
Быстрицкий, Сергей Алексеевич
Количество страниц
Год
2013
Разработка и исследование тонкоплёночных сенсорных структур для химических датчиков на основе углеродных нанотрубок
Разработка и исследование тонкоплёночных сенсорных структур для химических датчиков на основе углеродных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Комаров, Иван Александрович
Количество страниц
Год
2013
Особенности электролюминисценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах
Особенности электролюминисценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах
99 000 UZS
Автор
Кудрявцев Константин Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов X-диапазона для систем радиолокации
Конструкции и технология СВЧ GaN транзисторов X-диапазона для систем радиолокации
99 000 UZS
Автор
Курмачев, Виктор Алексеевич
Количество страниц
Год
2013
Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами
Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами
99 000 UZS
Автор
Егармин, Константин Николаевич
Количество страниц
Год
2013
Полевой датчик Холла на основе структур
Полевой датчик Холла на основе структур "кремний на изоляторе"
99 000 UZS
Автор
Леонов, Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2013
Разработка методов построения и конструктивно-технологических основ реализации элементной базы систем мониторинга дефектов конструкций
Разработка методов построения и конструктивно-технологических основ реализации элементной базы систем мониторинга дефектов конструкций
99 000 UZS
Автор
Исаева, Алина Сергеевна
Количество страниц
Год
2013
Влияние спектрального состава света и фазового состава полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект
Влияние спектрального состава света и фазового состава полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект
99 000 UZS
Автор
Матасов, Максим Дмитриевич
Количество страниц
Год
2013
Технологические основы создания люминесцентного сенсора для определения тяжелых металлов в белках
Технологические основы создания люминесцентного сенсора для определения тяжелых металлов в белках
99 000 UZS
Автор
Наумова, Екатерина Викторовна
Количество страниц
Год
2013
Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP
Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP
99 000 UZS
Автор
Пушкарев Сергей Сергеевич
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3