Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Выращивание и исследование новых кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr#24+#1, для твердотельных лазеров
Выращивание и исследование новых кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr#24+#1, для твердотельных лазеров
99 000 UZS
Автор
Субботин Кирилл Анатольевич
Количество страниц
Год
2007
Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
Синтез и исследование стекловидных диэлектрических материалов и пленок на их основе, полученных золь-гель методом
99 000 UZS
Автор
Дворников Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2001
Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля
Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля
99 000 UZS
Автор
Кох Александр Егорович
Количество страниц
Год
2002
Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
Исследование влияния неточности изготовления на дополнительные аберрации магнитных быстродействующих отклоняющих систем и квадрупольных линз
99 000 UZS
Автор
Зотова Милена Олеговна
Количество страниц
Год
2001
Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе
99 000 UZS
Автор
Калугин Виктор Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
99 000 UZS
Автор
Прусаков Евгений Викторович
Количество страниц
Год
2001
Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния
99 000 UZS
Автор
Лысенко Любовь Николаевна
Количество страниц
Год
2001
Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
99 000 UZS
Автор
Студеникин Павел Алексеевич
Количество страниц
Год
2001
Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP
Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP
99 000 UZS
Автор
Столярова Валентина Вячеславовна
Количество страниц
Год
2002
Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития
Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития
99 000 UZS
Автор
Масленников Евгений Ильич
Количество страниц
Год
2004
Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента
Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Труфманов Алексей Петрович
Количество страниц
Год
2001
Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии
Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии
99 000 UZS
Автор
Шарин Андрей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2001
Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
99 000 UZS
Автор
Черномордик Владимир Дмитриевич
Количество страниц
Год
2001
Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
99 000 UZS
Автор
Емельченко Александр Геннадьевич
Количество страниц
Год
2001
Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
99 000 UZS
Автор
Ермолаева Наталия Вячеславовна
Количество страниц
Год
2001
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3