Твердотельная электроника

Твердотельная электроника - 67-989-0
Исследование и разработка универсальных методов тестирования IP блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер
Исследование и разработка универсальных методов тестирования IP блоков систем на кристалле на базе микропроцессорных ядер
99 000 UZS
Автор
Алексеев, Алексей Алексеевич
Количество страниц
Год
2012
Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии
Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии
99 000 UZS
Автор
Мухин, Игорь Игоревич
Количество страниц
Год
2012
Разработка и исследование тонкопленочных сенсорных структур для химических датчиков на основе углеродных нанотрубок
Разработка и исследование тонкопленочных сенсорных структур для химических датчиков на основе углеродных нанотрубок
99 000 UZS
Автор
Комаров Иван Александрович
Количество страниц
Год
2013
Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
99 000 UZS
Автор
Бурдейный, Дмитрий Игоревич
Количество страниц
Год
2012
Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов
Применение радиационных методов отбраковки потенциально ненадежных гетероструктур в технологии производства суперлюминесцентных диодов
99 000 UZS
Автор
Перевозчиков, Михаил Васильевич
Количество страниц
Год
2012
Проектирование структуры межсоединений программируемых логических интегральных схем
Проектирование структуры межсоединений программируемых логических интегральных схем
99 000 UZS
Автор
Быстрицкий, Алексей Викторович
Количество страниц
Год
2012
СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
99 000 UZS
Автор
Перевезенцев, Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2012
Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов
Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов
99 000 UZS
Автор
Ратникова, Александра Константиновна
Количество страниц
Год
2012
Нанометровые высоковольтные предохранители для экспериментальной физики
Нанометровые высоковольтные предохранители для экспериментальной физики
99 000 UZS
Автор
Воронов, Андрей Юрьевич
Количество страниц
Год
2011
Микроэлектронный и оптоэлектронный принципы построения полупроводникового преобразователя частоты сверхвысокочастотного диапазона
Микроэлектронный и оптоэлектронный принципы построения полупроводникового преобразователя частоты сверхвысокочастотного диапазона
99 000 UZS
Автор
Белкин, Леонид Михайлович
Количество страниц
Год
2012
Исследования однонаправленных и слабоаподизованных встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн и разработка устройств частотной селекции на их основе
Исследования однонаправленных и слабоаподизованных встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн и разработка устройств частотной селекции на их основе
99 000 UZS
Автор
Карапетьян, Геворк Яковлевич
Количество страниц
Год
2011
Моделирование, синтез и реализация мощных широкополосных СВЧ транзисторных усилителей в существенно нелинейном режиме
Моделирование, синтез и реализация мощных широкополосных СВЧ транзисторных усилителей в существенно нелинейном режиме
99 000 UZS
Автор
Евстигнеев, Алексей Андреевич
Количество страниц
Год
2011
Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур
Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур
99 000 UZS
Автор
Коломийцев, Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2011
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов повышения радиационной стойкости глубоко-субмикронных СБИС с помощью средств приборно-технологического моделирования
Исследование и разработка конструктивно-технологических методов повышения радиационной стойкости глубоко-субмикронных СБИС с помощью средств приборно-технологического моделирования
99 000 UZS
Автор
Селецкий, Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2012
Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN
Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN
99 000 UZS
Автор
Калинин Борис Вячеславович
Количество страниц
Год
2012
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3