Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN

Калинин Борис Вячеславович. Разработка мощного полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на основе гетероструктур (Al,Ga)N/GaN: автореферат дис. ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Калинин Борис Вячеславович;[Место защиты: Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова].- Санкт-Петербург, 2012.- 18 с.
Автор
Калинин Борис Вячеславович
Год
2012

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур
99 000 UZS
Автор
Леготин, Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2011
Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе
99 000 UZS
Автор
Михайличенко, Александр Валерьевич
Количество страниц
Год
2011
Нанотубулярные формы бора : особенности электронно-энергетического строения и проводящих свойств
99 000 UZS
Автор
Перевалова, Евгения Викторовна
Количество страниц
Год
2012
Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности
99 000 UZS
Автор
Савченко, Евгений Матвеевич
Количество страниц
Год
2011
Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
99 000 UZS
Автор
Ткачев, Александр Юрьевич
Количество страниц
Год
2011
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3