Введение
ГЛАВА 1. Особенности конструкции и проектирования современных мощных вч и свч моп транзисторов 12
1.1. Конструкции мощных МОП транзисторов 12
1.2. Электрические параметры мощных ВЧ и СВЧ LDMOS транзисторов 24
1.3. Методология современного подхода к проектированию полупроводниковых приборов с использованием приборно-технологических САПР ! 26
1.4. Моделирование технологических операций создания МОП транзисторов 33
1.5. Моделирование физических процессов в мощных МОП транзисторах 38
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1 40
ГЛАВА 2. Разработка методик и комплекта программного обеспечения для комплексного моделирования свч ldmos транзисторных структур в среде сапр ise tcad 43
2.1. Разработка методик моделирования транзисторных структур с учетом специфики САПР ISE TCAD : 43
2.2. Создание структурных моделей LDMOS транзисторных структур 52
2.3. Разработка технологических моделей транзисторных структур. 57
2.4. Разработка командных файлов для моделирования основных электрических параметров и электрофизических характеристик LDMOS транзисторных структур 63
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2 71
ГЛАВА 3. Исследование влияния конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных свч ldmos транзисторных структур .. 72
3.1. Зависимость пробивного напряжения стока Ucu пров от длины и глубины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней, от толщины и удельного сопротивления эпитаксиального слоя 77
3.2. Зависимость сопротивления сток-исток R^ от глубины контактной диффузионной р -области истока, длины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней 87
3.3. Влияние на проходную С„рох и выходную Свых емкости транзисторной LDMOS структуры длины и глубины дрейфовой области стока и концентрации примеси в ней, а также других конструктивных факторов 92
3.4. Влияние заземленного полевого электрода над дрейфовой областью стока на сопротивление сток-исток Rcu и проходную емкость Спрох LDMOS транзисторных структур 98
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3 105
ГЛАВА 4. Исследование перспективных высоковольтных моп транзисторов со структурой суперперехода 107
4.1. Аналитический метод расчета пробивного напряжения стока
Ucu Пр0б LDMOS транзисторных структур с суперпереходом 107
4.2. Результаты моделирования в ISE TCAD пробивного напряжения стока исипробИ сопротивления сток-исток Rcu LDMOS транзисторной структуры с суперпереходом 114
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4 123
ГЛАВА 5. Особенности практического применения разработанного комплекса методик моделирования и программного обеспечения при проектировании мощных вч и свч ldmos транзисторных кристаллов 124
5.1. Структурно-технологическая методика моделирования LDMOS транзисторных структур 124
5.2. Разработка конструктивного исполнения периферийных участков стоковых областей LDMOS транзисторов с напряжением питания на уровне 50 В 128
5.3. Методика проектирования мощных СВЧ LDMOS транзисторных кристаллов с использованием современных приборно-технологических САПР 137
5.4. Результаты экспериментальной проверки разработанной методики проектирования мощных СВЧ LDMOS транзисторных кристаллов 142
Выводы к главе 5 146
Основные результаты и выводы 148
Список использованных источников 151
