Технические науки

Технические науки - 67-0-0
Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
99 000 UZS
Автор
Тарасов Роман Юльевич
Количество страниц
Год
2003
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
99 000 UZS
Автор
Русаков Демьян Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники
99 000 UZS
Автор
Рыжов Максим Вадимович
Количество страниц
Год
2003
Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития
Разработка и исследование метода высокотемпературного протонного обмена для формирования волноводных структур в кристаллах ниобата и танталата лития
99 000 UZS
Автор
Алкаев Александр Николаевич
Количество страниц
Год
2004
Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
99 000 UZS
Автор
Болесов Игорь Анатольевич
Количество страниц
Год
2004
Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co
Фазовые равновесия в системах Cd-Te, Zn-Se-Cr, Zn-Se-Co
99 000 UZS
Автор
Зорин Андрей Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства
Исследование конструктивно-технологических особенностей проектирования высокоизбирательных фильтров на поверхностных акустических волнах в условиях крупносерийного производства
99 000 UZS
Автор
Шермагина Елена Юрьевна
Количество страниц
Год
2003
Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
99 000 UZS
Автор
Фейгельсон Борис Николаевич
Количество страниц
Год
2003
Оптимизация условий выращивания и использование
Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
99 000 UZS
Автор
Епимахов Игорь Дмитриевич
Количество страниц
Год
2003
Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
99 000 UZS
Автор
Гончарова Наталья Вячеславовна
Количество страниц
Год
2002
Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро- и акустоэлектронике
Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро- и акустоэлектронике
99 000 UZS
Автор
Белянин Алексей Федорович
Количество страниц
Год
2002
Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния
99 000 UZS
Автор
Ковалгин, Алексей Юрьевич
Количество страниц
Год
2002
Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы
Получение твердых растворов AllnGaPAs и InGaPSbAs на основе арсенида галлия из жидкой фазы
99 000 UZS
Автор
Мышкин Алексей Леонидович
Количество страниц
Год
2002
Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
99 000 UZS
Автор
Олива Эдуард Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца
Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната свинца
99 000 UZS
Автор
Панкрашкин Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2002
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3